【摘 要】
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采用激光掺杂技术研究p型单晶硅片背面局部掺硼,实验中选取三种硼掺杂源,并得出硼酸溶于丙三醇溶剂中掺杂浓度最高,以它作为掺杂源,研究激光各参数对掺杂的影响,通过调节激光
【机 构】
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顺德中山大学太阳能研究院顺德528300顺德中山大学太阳能研究院顺德528300;中山大学太阳能研究所,广州510006
【出 处】
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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会
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采用激光掺杂技术研究p型单晶硅片背面局部掺硼,实验中选取三种硼掺杂源,并得出硼酸溶于丙三醇溶剂中掺杂浓度最高,以它作为掺杂源,研究激光各参数对掺杂的影响,通过调节激光的y轴方向的重叠率,激光波长,功率,平台速度,频率等来探究对硅片方块电阻的影响,同时用金像显微镜和扫描电镜(SEM)观察掺杂表面形貌,截面激光融熔深度,以及测ECV观察硼原子硅片掺杂浓度及深度;最后将激光参数优化,并得到一个理想的结果.
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