功函数相关论文
半导体光催化作为一种环境友好、可持续发展的技术,在水分解、二氧化碳还原和污染物降解等领域受到了广泛关注。然而,由于电子空穴......
低温、大电流、高稳定性、长寿命的阴极一直是新型阴极研究追求的目标,也是未来高功率、高频率真空器件发展的必然要求。为了进一......
石墨烯的发现引起了研究人员对于范德华层状材料的研究兴趣。半导体过渡金属硫族化合物（TMDC）属于范德华层状材料,因其具有很多优异......
过渡金属硫化物（TMDC）以其优异的性能和二维层状结构得到了广泛的关注。其超薄,没有悬挂键和可调带隙等不寻常的特性,使其在电子科学......
能源问题一直是全球关注的焦点,当前的能源转换主要基于热力循环的原理,转换效率十分有限。热电子发射能量转换技术是一种将热能直......
自从2004年石墨烯研制成功以来,越来越多的科研人员对二维材料产生兴趣。在过去的十年里,二维材料已经在电池、催化、电子学和光子......
稀土硼化物具有高熔点、高硬度、低功函数、低蒸发率、耐离子轰击能力强与物理化学性质稳定等特点,是一类优良的电子发射材料,在电......
电子化合物是一种新型功能材料,其中电子处于具有周期性的间隙位置,作为阴离子电子与阳离子成键构成化合物,这种特殊的晶体结构和......
电子化合物是一种间隙电子作为阴离子的离子化合物。阴离子电子使电子化合物具有高迁移率、低功函数等特性,在催化、金属离子电池......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
大多数OLED都用ITO做阳极,为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染,通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/FIrPic∶SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响。结果显示,相......
氮化镓(GaN)为Ⅲ-Ⅴ族性能优异的直接宽带隙半导体材料,具有功函数小、热导率高、物化性质稳定以及熔点高(1500℃)等特点,是一种很......
石墨烯量子点(GQDs)是碳材料家族中的0D材料,具有高电导率、高透光性、光学稳定性、小的尺寸的特性且可调节性,已经在电子元器件和......
根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75A10.25N(0001)表面的吸附模型.利用密度泛函理论......
本论文的研究内容主要分为两部分。第一部分,采用热蒸发沉积法在液相基底(离子液体)表面制备了金属Zn纳米结构晶体,并基于微观形貌......
二维硫化钼因其特殊的能带结构与优异的光电特性而受到了极大的关注并被广泛应用于各个领域。本文的主要内容是二维MoS2原型器件的......
GaN是宽禁带直接带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度3.4eV,物理和化学性质稳定,热导率高、饱和电子飘移速率大、临界击穿电场高,电......
本论文为了研究和发现多元稀土六硼化物的新奇物理性能,以CexBa1-xB6为研究对象,将理论计算与实验结合的方式对纳米粉末及单晶体的......
氧化铟锡(ITO)薄膜被广泛用作光电器件中的透明导电电极,其透光率、导电性、表面粗糙度、与基底的功函数匹配及其电流传输特性都会......
在简要论述Zn O基透明导电膜发展现状基础上,重点讨论近年来Zn O薄膜的最新研究热点,包括在提高迁移率和载流子浓度、功函数、光学......
超导铌腔的碳氢污染问题导致铌表面的功函数下降,引起场致发射,使超导腔的加速梯度恶化,运行一段时间后必须对其碳氢污染进行清洗......
二硫化钼(MoS2)作为一种代表性的半导体二维原子晶体材料,具有优异的物理及电学特性,这使其在光电器件尤其是逻辑器件的应用中具有......
为了改善304钢的干滑动摩擦学性能,采用激光打标机在304钢基体表面刻蚀出直径及间距为300μm的点坑状织构,之后对织构前后试样表面......
随着现代技术的飞速发展,逐步实现了从短距离到长距离,从有线通讯到无线通讯的转变,然而电池与电源线束缚了发展的空间。采用能量......
氧化锌作为宽带半导体，具有负电子亲和势，高的机械强度和良好的化学稳定性等特性，是一种很有发展潜力的场发射阴极材料。在纳米氧化锌......
太阳能电池是光伏发电技术的核心,光电转换效率是表征太阳能电池性能的关键参数。高掺杂浓度的p+层是晶硅太阳能电池的基本结构之......
有机电致发光显示器(OLED)在20世纪80年代末成为了电子显示领域一颗耀眼的明星。它具有主动发光、视角宽、响应速度快、驱动电压低......
类石墨烯二维材料MoS2,由于其新颖的结构特性和独特的物理性质从而被广泛应用于场效应晶体管、新型光电器件和自旋电子器件、传感......
为了从原子层面研究NEAGaN光电阴极激活机理及负电子亲和势形成原因，提高NEAGaN光电阴极理论研究水平和激活工艺水平，本文采用基于密......
发展性能优异、成本低廉、可溶液加工的修饰层材料是太阳能电池研究中的一个重要问题。在目前应用的修饰层材料中,脂肪胺类化合物......
纳米科技的提出和发展革新了传统的材料加工制作方式,它试图通过在微观世界中纳米尺度内的加工操作来改进器件的性能,被认为是21世......
界面修饰层是国内外各研究小组的重要研究内容之一,目前这一领域的研究内容主要包括以下两方面：一、探究新型材料作为界面修饰层应......
GaN纳米材料具有带隙宽、力学强度好、热导率高、物理和化学稳定性好、载流子迁移率高等优点，成为新一代化合物半导体材料的研究热......
该论文研究在恒电位下铜和银纳米线沿多孔氧化铝通道的生长速率。不同的点位下电沉积铜和银纳米线，XRD结果显示铜和银为面心立方结......
基于多孔氧化铝模板(AAO)生长的金属纳米线形貌规则,纵横比大,填充率高,纳米线生长晶面可控,这些优点使得AAO模板在磁学、光学、场......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极—锆 /钨 (ZrO/W )阴极。这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面 ,采用特......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用紫外光电子能谱(UPS)对新型有机半导体三萘基膦(TNP)在金属Ag(110)表面上沉积生长及其电子性质等进行了研究.三萘基膦的价带谱......
介绍了一种高功函数的掺杂钛酸镧的氧化铟透明导电阳极并用其制备了有机光伏器件,详细研究了该材料对器件性能的影响,同时对比了IT......
应用基于密度泛函理论广义近似梯度下的第一性原理方法计算了不同覆盖度下C吸附在Ni(111)表面的吸附能、功函数以及材料的磁性.计......
通过分析Ag/P3HT/ITO结构样品的载流子注入特性,研究了PEDOT(3,4-Ethylene-dioxythiophene thiophene)的界面修饰对样品薄膜注入特......
