二氧化硅薄膜相关论文
In the process of silicon wet etching, the SiO2 film formed by thermal oxidation is firm and compact, and it is an excel......
目的：采用溶胶－凝胶法制备SiO2薄膜，探讨该薄膜是否会影响烤瓷修复体的色泽。 方法：采用溶胶-凝胶的方法分别在烤瓷牙基底冠表面、......
微机电系统(MEMS)这一概念始于上个世纪80年代,它一般是指关键尺度在亚微米到亚毫米范围内电子和机械元器件组成的器件或系统。MEM......
硅锗纳米材料由于自身的优良性能以及在光电方面展示出的与常规材料不同的特性,使得其在微电子和光电子领域内有着广泛的应用前景......
微孔SiO2薄膜热稳定性好、化学性质稳定、容易再生、易控制孔径大小和尺寸分布等优点。但SiO2膜的水热稳定性差，在湿热环境长期使用......
光电功能材料是一类非常重要的功能材料。随着信息技术的发展，作为超大规模集成电路器件中钝化膜和介质膜的纳米多孔二氧化硅薄膜，显......
分析归纳了国内外近几年来超疏水材料制备与研究的最新进展,介绍了超疏水薄膜的基本理论、主要制备方法及应用前景,指出了制备超疏......
激光器元件的性能和功率与光学薄膜的质量密切相关，光学薄膜是其重要组成部分。要满足激光器的需要，光学薄膜必须具有超强的抗激光损......
二氧化硅(SiO2)凝胶具备许多独特的性能,如良好的绝热性,密度低且具有多孔结构,透光性能良好,反射指数低等,使其在光学、催化、传......
电化学发光或电致化学发光(Electrochemiluminescence或Electrogenerated Chemiluminescence,ECL)分析法不仅具有化学发光方法的许......
概述了自组装薄膜技术的研究现状及意义。并以氨水为催化剂，通过水解正硅酸乙酯制备了乳白色二氧化硅溶胶，采用静电自组装薄膜技术制......
由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现......
二氧化硅(SiO_2)薄膜具有很多优异的性质,如电绝缘特性和耐腐蚀性。由于需求的不同,人们已将SiO_2薄膜作为金属氧化物半导体场效应......
选取不含 H2 的 Si Cl4 / O2 混合气体作为反应源气体 ,并利用普通的 PECVD技术来实现低温沉积 Si基微米厚度的 Si O2 薄膜 ,测试......
利用纳米压痕仪测量了硅基二氧化硅薄膜的纳米力学性质,分析得到二氧化硅薄膜厚度约1100nm;并利用连续刚度测量法得到不同压入深度......
利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐......
以正硅酸乙酯、乙醇、盐酸和水为原料,引入N,N-二甲基甲酰胺(DMF),采用溶胶凝胶法和浸渍提拉技术在玻璃载片上进行涂膜,并研究了DM......
以硅烷和氧化二氮作为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,不使用掺杂,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧......
以正硅酸乙酯为前驱体,氨水作催化剂,采用溶胶-凝胶法提拉镀制SiO2双面膜,对薄膜进行氨处理和热处理。采用椭偏仪、分光光度计、红......
用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜.对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄......
采用溶胶-凝胶法在P型单晶硅的表面镀上一层纳米二氧化硅薄膜，应用表面光电压谱(SPS)、漫反射光谱(DRS)和傅里叶红外光谱（FTIR）研究其......
We report the pressure dependence of Ge nanocrystals embedded in SiO2film matrix on Si substrate using Raman scattering ......
目的：探讨溶胶-凝胶法在纯钛表面制备不同厚度的二氧化硅薄膜对钛瓷结合强度的影响。方法：将纯钛试件随机分成四组。一次组、二次组......
研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）法生长SiO2薄膜的内应力。借助XP-2型台阶仪和椭偏仪测量计算了SiO2薄膜的内应力，通过改变薄......
以正硅酸乙酯为硅源,十六烷基三甲基溴化铵大分子的组装体为有机模板,研究在气-液界面仿生合成SiO2膜的过程.考察了影响成膜的主要......
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜.红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm-1,......
采用30%(质量分数)H2O2溶液活化聚碳酸酯(PC),研究了温度和时间对PC表面活化效果的影响.结果表明:在50℃下处理0.5 h后,PC表面官能......
采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法,以正硅酸乙酯（TEOS）和甲基三乙氧基硅烷（MTES）为先驱物,盐酸为催化剂,用二步水解法制备了Ti^3＋/SiO2薄膜和甲基......
以硅单晶为靶材,高纯的Ar和O2气分别为溅射气体和反应气体,采用射频磁控反应溅射法,在蓝宝石衬底上制备了SiO2薄膜,溅射的工艺参数......
采用射频磁控溅射法，在普通玻璃基片上成功制备了SiO2／Vox多层复合薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）、紫外可见......
用SOL-GEL法在浮法玻璃表面制备了掺杂纳米银晶粒的二氧化硅薄膜.在室温下测定了其可见光透过率和光致发光谱.研究了样品的光致发......
为制备微晶玻璃增强用二氧化硅薄膜，采用溶胶－凝胶工艺（ＳＯＬ－ＧＥＬ）在普通钠钙硅玻璃基片上做了预试，对过程中薄膜的开裂问题进行了详细的分析和研......
采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理.分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,......
通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化（RTO）处理后的样品。结果表明，在处理相同的时间下，随着热处理温......
应用溶胶凝胶法和浸渍提拉技术,以正硅酸乙酯为主要原料在玻璃载片上进行涂膜.在制备过程中引入聚乙二醇300（PEG-300）,研究对SiO2薄......
由于普通的化学气相沉积法制作高掺Sn的二氧化硅薄膜比较容易产生结晶,而溶胶-凝胶法制备薄膜化学组成比较容易控制,可以制作出掺S......
采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法制备了掺杂荧光素（FL）的SiO2／甲基硅油（MSO）复合薄膜，并且测定了这种薄膜的光谱特性．实验表明，荧光素掺杂的SiO2薄......
以K9和熔石英玻璃为基底结合溶胶-凝胶镀膜技术,制备了用于负载1 064nm和355nm激光辐射的高损伤阈值透射玻璃元件。综合考虑基底表......
介绍一种用于测量SiO2薄膜热导率的测试方法.本方法根据3ω法原理,采用锁相放大器提取微弱信号,并通过GPIB接口总线实现自动测试,......
采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜。通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频......
二氧化硅薄膜具有折射率低、消光系数小、附着力强、在可见光和近红外区域均为透明等特点,是一种理想光学薄膜,被广泛的应用于微电......
以正硅酸乙酯、乙酸锌为原料制得溶胶,常温常压下在陶瓷釉面砖表面喷涂溶胶、低温凝胶化及热处理制得含锌离子的二氧化硅凝胶涂层......
本文研究了采用溶胶凝胶法制备SiO2底膜的方法,探讨了各种因素对溶胶凝胶制作和SiO2底膜质量的影响.......
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD）技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜，研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过......
采用溶胶-凝胶工艺在酸性、碱性和碱／酸两步催化条件下制备纳米多孔结构的SiOz薄膜。使用透射电子显微镜（TEM）、激光粒子分析仪测试了......
二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光学、介电性质及耐磨、抗蚀等特性,在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景,是目前国际上广泛关注......
采用水热法制备了纯相Tb(OH)_3纳米棒,并以Tb(OH)_3纳米棒为掺杂剂制备了Tb~(3+):SiO_2光转换功能薄膜。研究了反应温度、离子浓度......
