基于慢正电子束流技术制备SiO<,2>薄膜的应用

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目前发展的有序介孔材料,由于它具有如下的特征:(1)具有规则的孔道结构;(2)孔径分布窄,且在2~50nm之间可以调节;(3)比表面积大;(4)具有很好的热稳定性;(5)颗粒具有丰富多彩的外形。自1992年首次合成以来,它在大分子催化、吸附和分离、传感器、微器件以及光、电磁等功能材料的研究和应用。因此一经诞生便引起了国际物理学、化学及材料学界的高度关注,并得到迅猛发展,成为跨学科的研究热点之一。虽然二氧化硅薄膜材料的制备工艺已有了大规模的发展,但是市场上对各种器件的要求程度越来越高,而不同二氧化硅薄
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