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以硅单晶为靶材,高纯的Ar和O2气分别为溅射气体和反应气体,采用射频磁控反应溅射法,在蓝宝石衬底上制备了SiO2薄膜,溅射的工艺参数范围是:射频功率为50～100W,样品托背面温度为25～400℃,沉积速率为4～6 nm/min.对影响薄膜质量的工艺参数进行了分析,探索出使蓝宝石镀膜后的红外透过率有最大幅度提高的最佳工艺条件.结果表明,所制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;在3～5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透作用.与其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜.