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首次报道了在水平磁场中采用LEC工艺生长锑化镓单晶,磁场强度为0.05-0.32T,且连续可调,所用覆盖剂为等摩尔比的NaCl+KCl混合物,覆盖厚度2-5mm,拉速0.3-1.5cm/b。生长方向;对MLEX和LRC样品进行质谱分析,研究磁场强度是晶体性能的关系,在非掺杂MLEC样品的PL谱中观察到明显的自由激限峰。