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首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺（ＭＬＥＣ）生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５～０．３２Ｔ（坩埚中心处），且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２～５ｍｍ，拉速０．３～１．５ｃｍ／ｈ。生长......
首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５－０．３２Ｔ，且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２－５ｍｍ，拉速０．３－１．５ｃｍ／ｂ。生长方向；对ＭＬＥＸ和ＬＲＣ样......
ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＭＬＥＣＧａＳｂＣｒｙｓｔａｌ①ＴｕＨａｉｌｉｎｇ，ＤｅｎｇＺｈｉｊｉｅ②，ＺｈｅｎｇＡｎｓｈｅｎｇａｎｄＷｕＸｉｋａｎｇ（屠海令）（邓志杰）（郑安生）（武希康）ＧｅｎｅｒａｌＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏ.........
