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在磁控溅射法制备Pb（Zr0.52Ti0.18）O3（PZT）铁电薄膜的基础上，结合半导体工艺制备了金属／铁电／金属／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压（C-V）特性曲线和逆时针漏电流一棚电压（Id-Vg）特性曲线表明，n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能。且在-5～＋5V的电压下存储窗口为2V。