该文研究了非破坏性读出(NDRO)铁电存储器(FeRAM)存储单元MFIS/MFMIS的制备,特性及建模.●该文采用物理和数学分析相结合的方法,构......

在磁控溅射法制备Pb（Zr0.52Ti0.18）O3（PZT）铁电薄膜的基础上，结合半导体工艺制备了金属／铁电／金属／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的铁电场效应晶体......

目的研究金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能．方法制备金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）......

采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结......