铁电随机存储器相关论文
同磁性随机存储器(MRAM)、相变随机存储器(PcRAM)、铁电随机存储器(FRAM)一样，阻变随机存储器(RRAM)被看做突破常规半导体存储......
近年来，稀有金属离子掺杂的钛酸铋(Bi4Ti3O12，简写为BTO)铁电薄膜成为研究的热点，这种材料结晶温度较低、抗疲劳特性好、自发极化较大......
铁电薄膜/半导体异质结表现出的电阻开关效应是制备铁电随机存储器的所需的性质。铁电薄膜要有高的居里温度和剩余极化。铁酸铋是......
铁电随机存储器(FRAM)因其具有诸多的优点而成为备受瞩目的下一代新型存储器之一,但是由于其自身存在的疲劳、极化保持损失、印记......
伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储......
FeRAM(Ferro-electric RandomAccess Memory,铁电随机存取存储器)是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器.不仅如此,与以往的非......
富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易......
将铁电薄膜与CMOS工艺相集成是实现铁电存储器制备的关键所在,采用PZT材料的铁电随机存储器的工作原理、工艺流程,以及铝连线在还......
东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）的材料和......
FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将SRAM的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。SPIFRAM家族MB85RSX......
电子信息技术突飞猛进,电子科学日新月异.就电子科技领域近两年一些新热点,如无线上网、移动计算、64位处理器、超级计算机世界500......
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术......
富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)非......
富上通公司和精工爱普生公司近日宣布．双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（FRAM）非易失存储器技术。......
东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、......
富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出全新铁电随机存储器（FRAM）解决方案——MB85RSl28TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首......
富士通将上市面向民用和便携数字产品的新型8位微控制器“MB95D108A”、“MB95R107A”。采用系统级封装(SiP)将该公司原8位微控制......
伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储......
为简化嵌入式系统利用NAND闪存保存大容量数据的设计复杂性,提出一种利用铁电随机存储器（FRAM）构建固态存储器实现快速高效存取的方......
综述了铁电存储器的存储原理、电路结构及应用、尚未解决的主要铁电材料的环保问题、疲劳失效问题、信息保持力和破坏性读出等问题......
富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易......
富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM（铁电随机存储器）的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3（BFO）成分，与180nm工艺......
铁电随机存储器（FRAM）的工作原理是利用铁电薄膜材料剩余极化双稳态的特点,它具有非易失性、高速度、高密度、抗辐射等优点,被认为半......
富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech），富士通实验室（Fujitsu Laboratories Ltd）和富士通有限公司已经联合开发出......
富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（FRAM）非易失存储器技术。......
富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储......
日本东芝公司日前宣布，该公司开发出容量128兆比特、数据传输速度每秒1．6吉字节的非易失铁电随机存储器（FeRAM），创下世界非易失随机存储......
铁电材料与微电子技术相结合,促成了新兴交叉学科——集成铁电学的出现,以铁电随机存储器（FRAM）为代表的铁电集成器件的诞生,推进了......
印制电子是为了解决传统的电子工艺中所遇到的问题而诞生。传统的电子工艺如光刻法,往往需要浪费很多材料,生产成本巨大,对环境污......
