硅晶体管相关论文
现今大众化的无线电产品很多均在１～２ＧＨｚ之间。此等频率对于现代硅晶体管已不是难于达到。但至今还未能看见大规模的高频电路集成在同一块......
在位于加州帕洛阿尔托的惠普实验室中，卡尔·陶西格(Carl Taussig)展开了一卷银色的塑料薄膜，上面布满了面积只有几平方厘米的小方格......
速度最快的硅晶体管·枪式无针注射器·能自行分解的汽车外壳·可预防溺水的救生网·家用生育力测试器·新型不停电电源装置·风力发电控制装置·激光微调电容器·新一代聚合物电池·电线绝缘材料再生新法·提高太阳能
IBM公司宣布,该公司已经制造出当今世上速度最快的硅晶体管,这一进展预示着电信芯片能够在耗能更少的情况下以更快的速度运行.该公......
如今硅晶体管已达到了性能极限，不能很好地处理功耗过高、散热和速度等问题，因此整个行业都开始寻找它的替代品。目前出现了一种新的......
模拟控制高速微控制器DS87C550、可激励固态激光器的大功率激光二极管SLD320、固态功率放大器SPA-5964-200-26200、锗化硅晶体管HBT30、可编程四组装数字电位器芯片DS1844
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出。 采用全离子注入,实现了基区宽度为80~100 nm的n......
硅晶体管在目前计算机的发展历程中扮演了最重要的角色,然而受其物理性质的限制硅基集成电路已经走到了一个瓶颈,它的集成度和运算......
IBM的研究人员已将1万个碳纳米管晶体管集成在硅片上。在硅晶体管正接近小型化的根本极限的时候，IBM的工作指向了一种可能的生产更......
据媒体报道，厦门天马微电子第5．5代低温多晶硅晶体管液晶显示器生产线全线贯通暨首款产品点亮仪式在厦门火炬（翔安）产业区举行。厦门天......
美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管，有望在短期内取代硅晶体管，成为电力应用中的“半导体之王”。相关的研......
人们在研究半导体碳纳米管和纳米线真正电子器件上作了很多努力，希望制造出可替代传统硅晶体管的场效应管或独立的纳米电子系统，......
美国惠普公司的科学家说，他们在忆阻器设计上取得重大突破，发现忆阻器可进行布尔逻辑运算，用于数据处理和存储。科学家认为，公众将在3......
日立制作所开发出了在硅底板上制造的MOSFET栅电极上层叠Pt和Ti薄膜的氢气传感器，可在约1S内检测浓度为1000μmol／mol以上的氢气。试......
常规双极晶体管在７７Ｋ下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Ｇｕｍｍｅｌ数，基区方块电阻，渡越时间和穿通电压等参数与......
禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电......
据美国物理学家组织网报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个lO纳米以下的碳纳米管（CNT）晶体......
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队，在出版的《科学报告》杂志上撰文称，他们使用一种独特方法，研制出了处理速度最快的柔性硅基晶......
据物理学家组织网报道，美国科学家提出一种完全用碳制成运算元件的设计方案。他们表示，这一元件未来能被制造得比硅晶体管更小，且性能......
美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管，有望在短期内取代硅晶体管，成为电力应用中的“半导体之王”。相关的研......
近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)技术发展颇为迅速,它与无机薄膜晶体管(ITFT)技术相比,具有如下两个显著的特点:一是制造温度低;二是......
ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥８００Ｖ，耗散功率ＰＤ＝２０Ｗ，特征频率ｆＴ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的......
硅材料作为电子产业的基础,数十年来一直是信息经济发展的实质动力。随着电子器件尺寸的缩小和处理速度的加快,晶体管尺寸已经迫近......
美国Kovio公司取得了印刷纳米硅晶体管技术，比印刷聚合物晶体管尺寸更小、性能更好，并降低成本。这项完全的印刷硅晶体管技术能与印......
据日前最新发布的一份名为《全球半导体技术路线图》的报告显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。据预计，到......
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介绍了硅晶体管热阻测试原理，以及硅热阻测试系统的硬件和软件设计...
《新科学家》杂志报道说，得益于柏林一位化学家的研究成果，超高速的微分子计算机可能离现实更进了一步。该杂志说，曾在美国加州斯里克......
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功......
英国南安普敦大学研究人员发现，在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟......
本文从理论和实验二方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性，建立了电流增益的温度模型，阐明了电流增益低温下降的机理及其与与发射区......
据日前最新发布的一份名为《全球半导体技术路线图》的报告显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。据预计，到......
硅晶体管在目前计算机的发展历程中扮演了最重要的角色，然而受其物理性质的限制硅基集成电路已经走到了一个瓶颈，它的集成度和运算速......
想象一下这样的场面:笔记本电脑的屏幕仿佛一张纸,卷曲铺张,悉听尊便。得益于法国国家科学研究中心(CNRS)的FrancisGarnier及其同......
现代半导体制造技术可以一直追述到1959年，当时，仙童公司和德州仪器同时发明了全新概念的集成电路——通过一种特殊的平面处理技术让......
