利用磁控溅射仪制作平面薄膜型H<,2>S硅微传感器

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通过交流和直流反应溅射,我们以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H_2S气敏元件。实验表明,纳米WO_3和纳米SnO_2对H_2S都具有敏感。但是,在元件的灵敏度和响应/恢复时间上,SnO_2元件比WO_3元件优越。在一个相对较长的时期内,两种元件的稳定性都较差,其灵敏度随着环境温度和湿度的变化而变化。在后续的研究中,我们应该对环境温度和相对湿度的影响多加研究。提出了灵敏度随时间变化的方程。从元件的性能测试中可以看出,元件的特性和敏感材料的厚度、溅射功率、溅射时间以及溅射气压有关系。但是,在以
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