单晶铋薄膜中强自旋轨道耦合导致的界面态对其磁输运的影响

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cbbbb

【摘要】

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由于其极长费米的波长λF( 30纳米)、较小的有效质量(m* 0.01me)、长的载流子平均自由程等特性,上世纪60年代铋薄膜就已经受到广泛的关注和研究.Sandomirskii等人预测,在厚度

【作者】

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尹树力庞斐梁学锦赵宏武陈东敏

【机构】

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北京市海淀区中关村南三街8号中国科学院物理研究所 100190

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

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2012年期

【关键词】

：

单晶薄膜自旋轨道耦合界面态磁输运平均自由程金属半导体有效质量

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由于其极长费米的波长λF( 30纳米)、较小的有效质量(m* 0.01me)、长的载流子平均自由程等特性,上世纪60年代铋薄膜就已经受到广泛的关注和研究.Sandomirskii等人预测,在厚度约20 30 nm铋薄膜中存在半金属半导体转变 [1,2],这个问题到现在为止仍然存在争议 [3,4].

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