【摘 要】
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采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、
【机 构】
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河北工学院电子工程系,河北工学院电子工程系,河北工学院电子工程系,
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采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一种新型推拉式石墨舟。实验结果表明此方法是可取的。
The dislocation-free epitaxial layer was grown on (100) GaAs substrate by liquid-phase epitaxy, and the carrier homogeneity of the epitaxial wafer was tested and analyzed. In order to improve the uniformity of carrier distribution, a liquid phase epitaxy process is adopted which is deoxidized for 15 hours and melted for more than 8 hours, and then reused and repeatedly grown from the same source. At the same time, in order to meet the needs of the experiment, a new type of push-pull graphite boat was designed. The experimental results show that this method is desirable.
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