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日立制作所开发出了在硅底板上制造的MOSFET栅电极上层叠Pt和Ti薄膜的氢气传感器，可在约1S内检测浓度为1000μmol／mol以上的氢气。试验结果表明，产品可以使用3年以上。传感器部分的尺寸只有2mm×2mm。晶体管工作时的阈值电压误差小，可对氢气浓度做出准确反应。为促进反应只需加热100℃左右，与使用陶瓷等材料的传感器相比，可在低温下工作。由此可将耗电量降至100mW。