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随着微电子技术的发展及闪存面临小型化的极限,阻变存储器因同时具备高速和高密度存储的特点,成为下一代存储器有力竞争者之一。但是目前对于其工作机理还不是很清晰,寻找合适的阻变材料并完善其物理机制对于阻变存储器的进一步发展非常重要。β态硫氰酸亚铜(β-CuSCN)作为一种宽禁带(3.6 eV)半导体,具有优异的光、电、化学和热学等性能。本文选用电化学沉积方法制备出β-CuSCN微纳米薄膜,重点研究其电阻开关性能,并给出合理的物理机制解释,探索了其在非易失性阻变存储器方面的应用。同时我们进一步探究了其在光电探测方面的应用。主要取得以下的研究结果:(1)利用ITO作为电极构筑了具有三明治对称结构的ITO/CuSCN/ITO阻变存储器。在高操作电压下,器件表现出非易失性负电阻开关特性并伴随有对称的负差分电阻现象。并且通过相对高的固定偏压分别在正反向作用后,器件在低操作电压下能够实现典型的双极性电阻开关。施加大的偏压后,少子电子在与正极相连的一端聚集,形成薄反型层,在紧邻其下形成耗尽层。多子空穴在与负极相连的一端聚集,形成多子积累层。之后在较低的反向和正向偏压下,由于空穴在势垒较高的反型层和耗尽层的填充与取出,使得器件出现高低阻态的变化。器件在小的读取电压0.2 V时的记忆窗口达到10,并且经过大约2 h的稳定性测试后,器件的高低阻态下的电流只出现很微小的变化。(2)引入有机物PVDF作为中间层,制备了基于ITO对称电极的CuSCN/PVDF/ZnO p-i-n异质结构型阻变存储器。该器件表现出典型的双极性电阻开关性能,能对信息进行存储,且能将存储的信息进行快速的擦除。由于样品中存在大量的陷阱,会发生电子的注入或者排出,使得Zn O导带和CuSCN价带之间发生量子遂穿效应,从而得到具有非易失性存储的器件。(3)探究了基于CuSCN微纳米结构器件的光电导性能。器件对390 nm附近的紫外光有很强的光响应,对可见光部分也有一定的响应。同时还发现由于器件两端的势垒高度不同,使其在正负偏压下对光的响应大小也不同。