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采用直流磁控溅射法在重掺硅（n＋-Si）上制备TiO2薄膜,通过电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au上电极,获得Au/TiO2/n-＋-Si结构的阻变存储器件。研究了氧分压对薄膜结晶性能及对器件电阻开关特性的影响,同时研究了器件的高低阻态电阻值及其高低阻值比随氧分压的变化情况。
基于《TiO2基阻变存储器件性能》的教学实践探索
【摘 要】
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采用直流磁控溅射法在重掺硅（n＋-Si）上制备TiO2薄膜,通过电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au上电极,获得Au/TiO2/n-＋-Si结构的阻变存储器件。研究了氧分压对薄膜结晶性能及对器
【机 构】
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杭州电子科技大学材料与环境工程学院
【出 处】
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教育教学论坛
【发表日期】
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2018年24期
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