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本文报道高氧高碳cz硅单晶中的氧碳沉淀及其相互作用的研究.确定了氧碳沉淀的主要形态为无定形SiO2和颗粒状的SiC.得出了氧碳不发生沉淀的临界值及氧影响碳沉淀和碳影响氧沉淀的下限值.考查了形成二次缺陷的条件及其产生的缺陷类型.
高氧高碳硅单晶中的氧碳沉淀及其形成的二次缺陷
【摘 要】
：
本文报道高氧高碳cz硅单晶中的氧碳沉淀及其相互作用的研究.确定了氧碳沉淀的主要形态为无定形SiO2和颗粒状的SiC.得出了氧碳不发生沉淀的临界值及氧影响碳沉淀和碳影响氧沉
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1984年01期
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