栅控二极管相关论文
通过数值模拟手段 ,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对 R- G电流大小的影响规律 .结果表明 :无论在 FD还是......
报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究 .理论分析表明 :由于正......
在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效......
报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的......
本文设计并制造了SOI多晶硅栅控二极管抗ESD电路,采用HBM模型对其进行抗ESD研究,分析了沟道长度、宽度和多指结构对器件抗ESD能力......
本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,......
当栅控二极管处于正向小偏压时,与界面或者体陷阱有关的产生-复合(R-G)电流贡献将超过扩散电流成为总电流主要的组成部分.通过对栅......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了......
基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一......
报道了正向栅控二极管R-G电流法表征F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱的实验及其结果．通过体接触的方式实现了实验要求的SOI-MOSF......
采用了一种由P型衬底、N型沟道和P＋沟道截止组成的栅控二极管结构，并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析，......
文章讨论了TFSOI／CMOS中ESD电路与常见体硅ESD电路的主要区别，详细分析了ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗2000......
通过数值模拟手段，用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R－G电流大小的影响规律。结果表明：无论在FD还是在PD SO......
使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对侧向的P^+P^-N^+栅控二极管的正向R－G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的......
设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64 kB SRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验.通过实验,......
ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB......
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采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺......
为了解决SOI技术的ESD问题,我们设计了一种适用于部分耗尽SOI的栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了ESD实验。通过实验研究了SOI......
