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设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64 kB SRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验.通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响.实验结果表明,这种结构的ESD保护电路的抗ESD能力达到了设计要求.
CMOS／SOI 64-kB SR AM抗ESD实验
【摘 要】
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设计了一种SOI栅控二极管结构的ESD保护电路,并将其应用到64 kB SRAM电路上,进行了管脚摸底实验和电路的整体抗静电实验.通过实验,研究了ESD保护电路各项参数对ESD性能的影响
【机 构】
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中国科学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2004年6期
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