SOIMOSFET器件相关论文
通过数值模拟手段 ,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对 R- G电流大小的影响规律 .结果表明 :无论在 FD还是......
随着半导体器件尺寸的不断缩小,传统体硅MOSFET器件和工艺技术将在器件结构、新物理效应、关键集成及材料体系等方面遭遇诸多挑战。......
在工作频率进入吉赫兹以后,非准静态效应成为制约了射频集成电路性能的因素之一。本文针对体硅MOSFET、SOIMOSFET和LDMOSFET三种典......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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