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在有效质量近似下，垂直方向采用无限深势阱限制势，在x—y平面上，量子点内采用抛物势近似，在量子点边界处采用与实际情况更接近的无限深势阱。在中心杂质电荷为ηe时，利用波函数近似，得到基态和低激发态的能级，与x—y平面均采用抛物势时得到的能级进行了比较。计算发现在量子点真实半径比较小时，电子的基态和低激发态受其影响很大，而相应的能级随量子点的半径逐步增大。在量子点半径大于5倍有效玻尔半径时，能级受其影响已经变得很弱。并且，随着磁场的变化，量子点半径对基态和第一激发态的能级差的影响也很大。最后我们计算了杂质电子