类氢杂质相关论文
本文在有效质量近似下,采用有限差分法研究了InGaN/GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的线性和非线性光学性质,讨论了类氢杂质、......
论文分三部分.在第一部分中对量子点、量子点的能态的理论计算进行评述;在第二部分中用Peker-Landau变分法计算了含类氢杂质的量子......
该文利用一维化方法,在有效质量近似下,计算了考虑阱中电子有效质量随空间位置的变化(SDEM效应)及不考虑SDEM效应的有限深抛物阱(P......
该文利用一维化方法,在有效质量近似下,考虑阱中电子有效质量随空间位置的变化(SDEM效应),计算了加垂直磁场时有限深抛物阱(PQW)中......
在有效质量近似下,我们采用变分法,分别计算了磁场对方形量子阱线和正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响,将结果与前人的工作进行......
该文在前人工作的基础上,研究了方形截面GaAs/GaAlAs量子线中类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚能及其光致电离......
自八十年代以来,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术的发展,低维半导体材料得以广泛应用。因为杂质对于材料中的电子输运及......
在有效质量近似下,讨论了GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN/AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子基......
量子线中类氢杂质束缚能的计算方法有很多,本文利用分离变数法将类氢杂质的定态薛定谔方程分离成两个分别与角度和距离有关的二阶......
在有效质量近似下,利用变分法研究无限高势垒GaN/AlxGa1-xN应变长方量子点中类氢杂质态结合能及流体静压力效应,数值计算表明,杂质......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激......
在有效质量近似下,利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结......
以GaAs/Ga1-xAlxAs为例,在有效质量的近似下,讨论了双抛量了阱吕类氢杂质的结合能,结果表明:(1)双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的1.3倍;(2)无......
利用有效质量近似,计算了磁场影响下正方体量子点中类氢杂质体系的束缚能;与相同条件下量子线以及球形量子点的束缚能进行了比较,......
利用一维有限差分法,计算了一个圆柱形量子点中杂质基态的结合能,研究了电场、磁场和杂质位置对结合能的影响.当杂质位于量子点中......
在有效质量近似下,采用有限差分的方法研究了自组装耦合量子点中类氢杂质的结合能随量子点结构参数(量子点尺寸和量子点间距)和杂质位......
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结......
在精确对角化方法得到的系统哈密顿方程的能量和波函数的基础上,我们利用密度矩阵方法计算了抛物类氢杂质量子点中激子的基态(L=0态......
在有效质量近似下,利用变分法研究无限高势垒GaN/AlGa1-xN应变长方量子点中类氢杂质态结合能及流体静压力效应.数值计算表明,杂质态结......
在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能,计算了结合能随量子点高度、半径和杂......
①目的研究自组织GaAs/AlxGa1-xAs量子环中类氢杂质结合能随量子环外径、高度以及杂质径向位置变化的规律。②方法本文运用变分法,......
本文在弱场极限下应用微扰变分法,在强场极限下应用绝热微扰法,计算了位于,量子阱中心的一个类氢杂质在磁场中基态的束缚能和电子......
本文采用变分法研究了量子阱中类氢杂质的束缚能的压力效应,尤其在阱较窄的情形下,其压力效应更为显著。......
利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到:无磁场情况,对于|m|=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可......
利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应.计算结果表明:磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大......
利用B样条技术计算类氢InAs类氢杂质量子环基态和激发态能级的量子尺寸效应.当抛物势ω=0和ω=50meV时,基态能量的计算结果为......
用Peker-Landau变分法计算了含类氢杂质的量子点基态能,发现外磁场,量子固有禁闭势,电子杂质相互作用,电声子相互作用对量子点基态能都有影响,并有一......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/Al,Ga1-xN,InxGa1-xN/CaN柱形量子......
在有效质量近似下,研究电场对GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱子带和类氢杂质束缚能的影响.计算中考虑到了GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中的电......
期刊
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/Alx Ga1-xN柱形量子点中类氢杂质的......
在有效质量近似下,采用简单的变分波函数,定量计算了无限深对称GaAs/AlGaAs耦合双量子盘在沿轴向不同强度磁场的作用下,类氢杂质体系......
考虑应变及流体静压力,在有效质量近似下,利用变分法计算了无限高GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质结合能。结果表明,在量子点尺......
采用变分法从Froehlich哈密顿量出发,研究了LO声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响,并将结果应用到GaAs/Ga1-xAlxAs材料中。研究表明LO声子对GaAs/Ga1-xAlxAs为材料的量子点中......
运用求解任意势中波函数和转移矩阵方法相结合的方法,讨论双势垒结构中类氢杂质位置变化对电子共振隧穿的影响,计算得到电子的共振能......
在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽,杂质位置和电场......
通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面,结果......
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的 GaN/AlxGa1- xN量子点中的激子......
利用精确对角化方法计算了带有类氢施主杂质的量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了......
本文运用有限差分方法研究了球形GaAs量子点中类氢杂质基态束缚能。GaAs材料导带底具有抛物特征,电子受限于球形GaAs量子点可以看......
近几年来,低维半导体异质结构由于其特殊的物理性质及其在光电子器件方面较好的应用前景而受到了广泛的关注。而且一些研究结果表明......
量子理论在实践中获得的成就显著,量子器件是近年来电子器件研制的一个前沿领域,尤其在低维半导体量子材料方面有着极大的应用潜力......
在有效质量近似下,讨论了GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN/AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子......
在有效质量近似下,通过变分法研究了流体静压力下有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态结合能.首先,在有效质量近似下利用变......
近年来,低维系统的研究被人们广泛的关注,特别是在二维系统中发现了诸如量子hall效应等现象以后。低维系统中一些新的物理性质使人......
在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数,利用变分方法数值计算了在有限势垒和无限势垒两种情况下的对称GaAs/Al0.4Ga0.6As耦合双......