铝掺杂相关论文
以钛酸四丁酯为钛源、十八水硫酸铝为铝源,利用溶胶-凝胶技术合成了Al掺杂的TiO2天然矿石球材料，并利用XRD、SEM、UV-Vis手段对催化......
采用固相法合成了铝掺杂的层状高镍无钴LiNi0.95Mn0.05O2正极材料，并利用结构分析方法和电化学测试手段研究了铝掺杂对LiNi0.95Mn0.......
超级电容器（SCs）,具有充放电速度快、高功率密度以及长循环寿命等优势,被广泛应用于便携电子器件、可穿戴器件的储能单元。然而,较窄......
利用一种简便的一步溶剂热法合成了氮/铝共掺杂碳点,该碳点的水溶液在红光发射区的发光量子效率达30％.分别通过原子力显微镜(AFM)、......
水是生命之源,废水处理问题一直都是国家、政府、企业、普通老百姓最关切的问题。核能的发展也将放射性污染引入了环境中,对人类的......
氧化铟纳米材料由于其专有的性能,在光子器件、电极、高功率晶体管、气体传感器等方面具有宽阔的应用前景。将氧化铟作为基体材料......
随着信息化时代半导体产业的发展,人们对各种电子产品,特别是信息存储产品的需求呈现高速上升趋势。目前市场上最主流的存储器是基......
显热储热技术是目前一种高效合理配置能源与资源、平衡热能的供给与需求的成熟且有效的手段,其在建筑节能、工业余热废热回收、清......
Mg与Li均是轻质高能量密度的储氢材料，它们的氢化物均较为稳定。本文首先探索了Mg-Li二元储氢合金的制备工艺，继而实验探索了Li含量......
ZnO作为宽禁带半导体材料的代表,具有非常优异的光电特性,一直以来都是材料研究领域的热点。尤其近年来对纳米结构ZnO材料的初步研......
全球正处于能源危机和环境污染两大问题的困扰之中,太阳能作为取之不尽、用之不竭的清洁能源越来越受到人类社会的广泛关注。本论......
场致发射显示器(FED)是一种新型的平板显示器件,具有功耗低、高亮度、高分辨率、工作环境适应性好等优点。场发射阴极材料(FEA)是F......
染料敏化太阳能电池作为第三代新型太阳能电池,它的主要特点是制备工艺简单、成本低廉、没有污染环境的有害物质排放,因此具有很好......
等离子显示器(PDP)具有色彩逼真、屏幕大、视角宽、亮度高、响应速度快及清晰度高等特点,在众多显示器件中脱颖而出,成为高清晰度......
本文利用四靶闭合场非平衡磁控溅射设备，固定C靶电流和Cr靶电流，改变Al靶电流(I/A1)和基片转速(ω)制备了一系列(Cr,Al)/GLC薄膜，采用......
随着社会的发展,锂离子电池的应用越来越广泛。锰酸锂和钴酸锂作为锂电池中最重要的正极材料而受到广泛关注。掺杂和制备纳米化LiM......
ZnO是一种有多种应用前景的光电子材料,它在压电式转换器、表面声波器件、光波导管、变阻器、透明导电氧化物、自旋功能器件和紫外......
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型黄铜矿化合物CuInSe2(CIS)体系因其结构的特殊性以及较高的光电转换效率而受到世界各地研究人员的广泛关注。但是由于......
Ge1-xCx薄膜成分简单易得，且光学带隙可随Ge/C含量及Ge-C键合比宽范围调整，作为一种新型高效低成本半导体薄膜材料在红外光学/光伏材......
随着无线电子终端设备的不断普及，市场对可充高能量密度电池的需求量越来越大，而这些又极大地推动了锂离子电池地迅猛发展。众所周知......
纳米技术与生物技术结合的日渐成熟,使得生物器件逐渐向高速化,小型化,大容量信息储存化的纳米生物器件方向发展。晶体硅被广泛应......
硼氮纳米管是一种电子性质比较稳定、单一、宽带隙的半导体材料。它的带隙很大(4.5~5.5eV),但是几乎和它的直径、手性、螺旋度、管......
本文首先综述了镍系列二次电池正极材料氢氧化镍的研究进展。简单介绍了氢氧化镍的结构，充放电原理，制备方法及其制备特点，掺杂元素对......
ZnO压敏瓷具有造价低廉、非线性系数高、漏电流小、响应时间快、浪涌吸收能力强以及较高的工作稳定性，被广泛用作保护电子电路免受......
铁系氧化物广泛存在于土壤、矿物和水体沉积物等自然环境中,铁氧化物/水界面是地表环境中影响污染物环境行为的重要微界面之一,在......
在炎热的夏季，为了缓解温室内的高温，研究者通常会在透明基体中添加近红外阻隔剂，来达到降低室内环境温度的目的。本文主要根据阻隔近......
虽然有机电致发光器件的寿命已经达到可商业应用的水平,但是很多技术还只是停留在工艺层面上,并且已经商用化的器件的很多件能还有......
M型钡铁氧体(BaFeO)是一种性能优良的永磁性材料。既具有较强的单轴磁晶各向异性、高的矫顽力、高的磁能积和较高的居里点，又具有良......
学位
氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料(晶体常数a=0.3250nm,c=0.5206nm,室温下的禁带宽度约为3.30Ev,激子束缚能约为60mev),具有优......
ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新......
ZnO:Al(AZO)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物(TCO)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料......
透明导电氧化物薄膜因其较低的电阻率和高的可见光透射率而广泛应用于太阳能电池，平面显示器等领域。透明导电氧化物主要包括In2O3......
磁性半导体兼备常规半导体电子学材料与磁电子学材料的优点,被认为是21世纪非常重要的电子学材料,引起了科研工作者巨大的研究兴趣......
采用溶剂热法合成了铝掺杂的纳米ZnO气敏材料,运用XRD和BET等手段对产物进行了表征并进行了相应的气敏性能测试。结果表明,掺杂1.5......
本文采用化学共沉淀法合成了铝掺杂纳米氢氧化镍系列样品，利用XRD表征了样品的晶型结构，采用循环伏安法测试了样品的电化学性能。结......
采用水热法首先合成了Al掺杂ZnO(AZO)纳米棒,在此基础上通过550℃的氨气氛中退火制备了Al,N共掺杂ZnO(ANZ())纳米棒.运用X射线衍射......
利用脉冲激光沉积法,在氧气氛下(氧分压为20 Pa)以硅为基体制备了ZnO:Al透明导电膜.靶材选用(ZnO)1-x(Al2O3)x陶瓷靶,沉积过程中基......
采用水热法,以酒石酸为形貌控制剂、以乙酸锌和尿素为原料,在载波片上制备了掺铝ZnO纳米片;采用XRD和SEM对其结构和形貌进行表征,......
以二水合醋酸锌为原材料，采用溶胶-凝胶浸涂法在钠钙玻璃基片上制备了具有C轴择优取向的ZnO：Al薄膜，考察了铝掺杂浓度对薄膜结晶性与......
用碳酸盐共沉淀法制备了正极材料LiNi0.8Co0.20-xAlxO2（x=0.05、0.10和0.15）。Ni-Co-Al的碱式碳酸盐与LiOH·H2O混合,在700～800℃......
铝掺杂的氧化锌(ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底(Polypro-pylene adipate, PPA)和Corning 7059玻璃上制备的.......
讨论了在低温条件下制备的ZnO：Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性．对聚酰亚胺(Polyimide，PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究......
采用射频磁控溅射技术制备出掺Al的富Si／SiO2复合薄膜，以不同退火温度对样品进行热处理。对样品进行X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（X......
采用液相催化相转化法，以Fe（Ⅲ）与Al（Ⅲ）的共沉淀为前驱物合成了铁饼状α-Fe2O3微粒，探讨了各种因素如铝离子的掺杂浓度、反应温度以及催......
