石墨舟相关论文
为了寻找一种更便捷、更经济的在半导体SiC基底上直接生长石墨烯的方法,将5 keV C离子注入商用6H-SiC(0001)单晶,通过拉曼光谱、扫......
采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采......
本文利用特殊设计的石墨舟,作了GaAs开管Zn扩散实验,获得了质量较好的扩散片,取得了一系列实验结果,从而确定出最佳扩散条件.对不......
扫描近场光学显微术(Scanning near-field optical microscopy,简称为SNOM)是一种在近几十年来取得快速发展的新兴技术。它突破了......
针对管式PECVD色差数量多，组件外观差等问题，从硅片薄厚、PECVD工艺技术和设备三个方面对问题进行了分析和探讨。通过对色差硅片进行......
光伏太阳能PECVD设备是通过石墨舟做为载体进行工艺的,目前存在从炉管工艺完后石墨舟内的碎片掉落到传送带上,将传送带烫坏的问题......
太阳能电池硅片定位技术直接影响石墨舟自动装卸系统的生产效率和碎片率。文章介绍了太阳能电池硅片自动装卸的定位方法，该方法应用......
本文主要研究管式PECVD的二次镀膜工艺优化,通过对石墨舟使用次数与状态的实验对比分析,得出未经镀膜或者镀膜次数较少的石墨舟可......
对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy,LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布。通过在母液周围加入石英框,分析其对......
介绍了一种石墨舟高频热处理技术，它通过去除液相外延舟内的杂质，降低了外延片杂质浓度，从而获得高质量的外延芯片，为制备高性能器件打......
采用管式PECVD的方法对硅片进行氮化硅镀膜,通过分析PECVD镀膜原理,探索了硅片表面均一性、卡点的导电导热性、反应温度的均匀性以......
本文主要研究管式PECVD后期使用中的镀膜均匀性问题,通过对镀膜沉积的工艺条件、石墨舟饱和工艺参数的分析研究,找出最优的沉积条......
<正> 本文叙述用三甲基镓（TMG）和砷烷（AsH3）制备砷化镓外延膜的初步结果,并对TMG引起的碳沾污作热力学估计,讨论了AsH3/TMG比对外延层......
对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy, LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布。通过在母液周围加入石英框,分析其......
由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边......
文章针对管式PECVD镀氮化硅薄膜均匀性问题,从硅片厚度检测、制绒成品检测、PECVD工艺调整及石墨舟的使用四个方面对问题进行了分......
