抗辐射加固相关论文
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下，航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展，......
相较于传统体硅器件,绝缘体上硅（silicon on insulator,SOI）器件以其更小的寄生电容,更低的功耗,抗闩锁能力等优势应用于集成电路中,......
辐射效应已成为影响集成电路（IC）在宇宙空间可靠应用的主要因素。文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述。首先，简介了抗辐射加......
辐照环境下掺铒光纤性能下降严重影响了其在空间环境中的应用,而Ce可以凭借其变价能力抑制光纤的辐致损伤效应。利用螯合物气相沉......
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁......
集成电路发展至今,其应用场景愈发广泛,越来越多的So C芯片被应用在航天系统之中,在空间辐射环境下,芯片会受到各种辐射效应的影响......
锁相环电路被广泛应用于商业和空间部署电子系统中,在微处理器的时钟产生、数据时钟恢复、频率合成等领域发挥了重要作用。工作在......
近代以来,随着我国航空事业的不断发展,航天技术日益成熟。当电子设备工作在宇宙空间区域时,就有可能发生辐射效应而导致飞行器功......
人类探索太空取得的成就与集成电路技术密不可分,卫星、飞船以及星际探测器等航天器中的系统都是由集成电路实现的。处于宇宙中的......
分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式, 并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、......
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器, 重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器......
在卫星光通信终端工作的空间环境中，存在大量高能粒子。受高能粒子的冲击，电子元器件会产生总剂量效应、单粒子效应等空间辐射效应。......
随着空间应用技术的发展，空间任务越来越复杂多样，需要处理的数据量也急剧增加，传统的星载计算机系统已经远远不能满足性能要求。以大......
随着供配电自动化系统越来越复杂、智能化越来越高,供配电自动化系统的可靠运行对整个电网的安全运行至关重要。供配电自动化系统......
硅可与包括可见光在内的很多辐射发生反应,且相对于其他半导体材料其成本有天然的优势,因此硅基探测器在航空航天、医疗、工业探伤......
在空间应用中,航天器和人造卫星中的体积和能源有限,集成电路芯片以其体积小,功能强,重量轻等优点得到了广泛应用。而芯片在空间环......
双端口SRAM存储器在流水线与多指令发射等技术中的应用越来越广泛,是提高吞吐率的有效手段之一。由于航空航天环境的独特性,高可靠......
一、电子系统抗辐射加固措施 1.选择合适的器件 随着抗辐射加固技术的深入研究,发现择合适的器件从线路上采取加固措施是极重要的......
[摘 要] 空间辐射防护技术课程重点围绕空间辐射环境、载人航天期间的空间电离辐射防护和监测、材料与器件的抗辐射加固技术等方面......
CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁......
空间中运行的航天器，会受到空间辐射环境的影响。航天器上的电子元器件在空间辐射环境的作用下，会产生各种效应，影响元器件甚至整......
根据美国全球军事战略中新型核武器和空间作战的发展趋势,分析了美国战略武器系统在核环境中作战的要求和保证实现抗辐射加固能力......
空间辐射环境下航天器电子学系统的可靠性问题是制约航天事业快速发展的一个瓶颈,探讨空间卫星的抗辐射屏蔽和加固问题,寻找更为有......
条纹相机(包括X射线条纹相机和可见光光学条纹相机)是一种高时空分辨的诊断设备,在激光惯性约束聚变(ICF)物理实验研究中具有非常......
预计在未来10到20年,微电子器件抗辐射加固的重点发展技术是:抗辐射加固新技术和新方法研究:新材料和先进器件结构辐射效应;多器件......
对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的......
介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的......
分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路.重点介绍了......
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同......
设计了一款采用CMOS工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了CMOS工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字......
采用4DSP+FPGA结构方案,在满足系统高可靠性的前提下,运行一种“3+1”的工作模式,针对备份DSP提出一种可选的“轮转切换”方案,利......
介绍了一种16位D/A转换器抗辐射加固设计和工艺技术.主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;......
在HI 13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束 Q3D......
脉冲激光模拟单粒子效应是单粒子效应地面实验模拟中新近才发展起来的一种方法.本文主要介绍脉冲激光模拟单粒子效应的基本原理、......
基于0．35μmPDSOI工艺设计了一款输出频率范围为700MHz-1．0GHz的锁相环电路，利用SentaurusTCAD工具对其进行单粒子瞬变（SET）混合模拟仿......
为了有效容忍双节点翻转,提出了一种新颖的22nm互补金属氧化物半导体工艺下双节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器.使用3个互锁的单......
在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并......
基于标准工艺线的设计加固是大规模集成电路抗辐射加固的发展趋势,对微纳米单元器件进行辐射效应参数提取是实现设计加固的前提。......
在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈.介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的......
功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新......
剂量率效应是电子元器件和系统的抗辐射鉴定考核中不可缺失的项目。脉冲激光束是一种较好的模拟剂量率效应的手段。相比传统脉冲X......
RS485通信协议要求:RS485驱动器输出短路至-7~12V时,短路电流应小于250mA。常规短路保护电路采用高压MOS实现,由于高压MOS栅极氧化......
针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应，进行了二次电源用3 款MOSFET（IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405）的抗辐......
针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS......
人物简介:程开甲是著名理论物理学家、中国科学院院士,长期从事理论物理、核武器研制与试验、抗辐射加固等领域的科研工作,是我国......
对基于RHBD技术CMOSD锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互......
