软错误相关论文
随着芯片制造工艺的进步,元器件的集成度不断提高,使得计算机芯片的性能得到了极大的提升。但同时,高度的集成化使得计算机芯片对......
CPU的可靠性对计算机系统至关重要。针对神经网络等方法在可靠性分析与评估中参数优化困难、模型评估精度不够准确等问题，提出一种......
软错误会导致隐性偏差，严重影响计算机系统的可靠性。计算程序脆弱性指数是防护隐性偏差的先决条件。针对传统方法中程序语义提取不......
本文提出了一种基于任务级冗余的I/O接口容错方案。本方法利用操作系统中任务级冗余技术，在不干扰微控制器其他模块的情况下保护I/O......
软错误是高能粒子作用于半导体器件的灵敏区后产生的单粒子效应改变了器件的逻辑状态而导致的一种瞬态故障。它不会影响电路的内部......
卷积神经网络（Convolutional Neural Networks,CNNs）凭借其较高的准确性在图像识别、自动驾驶等领域很受欢迎。随着大规模图像数据的......
单粒子翻转会使锁存器、触发器等电路中的逻辑值发生瞬态变化,影响芯片的可靠性。而且随着摩尔定律的发展,单粒子翻转正变得越发严......
对卷积神经网络容错性的研究,是为了构建新型的更高可靠网络模型。真正的容错性,是指在系统架构层发生异常时,神经网络仍然能保持......
针对纳米级工艺下瞬态故障引发的软错误可能造成电路失效这一问题,提出一种容软错误的流水线电路加固方案.该方案面向软错误的主要......
随着集成电路的迅速发展,软错误的问题已经不可忽视,而多米诺逻辑作为集成电路里的基本单元,也是较容易受到空间粒子轰击产生软错......
由软错误引起的计算可靠性问题,已经在安全关键系统中越来越多的被考虑到.由于寄存器文件被访问的非常频繁而且在其中发生的错误会......
在分析微电子器件单粒子效应物理机理的基础上，重点介绍了DRAM、SRAM、SRAM型FPGA、反熔丝型FPGA和DSP等超大规模集成电路器件中的......
针对深亚微米工艺下瞬态故障引发的软错误成为芯片失效的主导原因,文中给出一种容软错误的高可靠BIST结构:FY-CBILBO.该结构首先对......
集成电路进入到纳米时代，微处理器的软错误问题越来越严重。地面应用的商用微处理器难以像工作在恶劣环境中的系统那样采取激进的保......
随着我国航天事业的飞速发展，空间辐射环境对集成电路的辐照效应分析及加固手段日益成为学术界和工业界关注的问题。过去几十年，单粒......
由于芯片集成度的提高,软错误在现代计算机系统中变得越来越普遍。这些故障对高性能微处理器中的存储器和硬件设备的可靠性造成了......
数字电路的产生为制造工艺带来广阔的发展空间,目前来看,我国的数字电路还在发展中阶段,仍然存在不少问题与漏洞等不稳定因素,提高......
片上多核处理器以其效能高、设计周期短等优势成为高性能处理器设计的主流架构。相变存储器以其集成度高、漏电功耗低等优势受到多......
硬件集成电路瞬时故障(又被称为软错误)是由空间高能粒子所导致的,它对航天器的寿命和可靠性影响极为严重。为了提高航天应用系统......
随着集成电路的特征尺寸进入纳米量级,持续降低的工作电压、急剧升高的工作频率以及明显提高的集成密度等原因,导致软错误率快速攀......
在现代的多处理器芯片中,由恶意攻击和系统错误引发的软错误现象越来越常见,尤其对云存储服务器中的大型、多层缓存系统而言更是如......
容错设计技术是提高计算系统可信性的重要措施。高能粒子辐射引起的软错误曾被认为是影响宇航电子用品可靠性的首要因素。随着集成......
单粒子效应(SEE)是诱发航天器故障最重要的空间环境因素之一,其与充放电效应(SESD)诱发故障的宏观表象相像,但具体影响细节及防护......
随着供配电自动化系统越来越复杂、智能化越来越高,供配电自动化系统的可靠运行对整个电网的安全运行至关重要。供配电自动化系统......
GPGPUs(general-purpose Graphics Processing Units)因为其高并发性和高吞吐量的优势,已经成为多种科学领域不可或缺的计算单元。......
随着半导体技术的迅猛发展,数字电路对软错误变得越发敏感。近年来,我国在通信和航天等领域迅速崛起,对数字电路的可靠性和开销提......
随着集成电路等半导体制作工艺的迅速发展,微处理器等芯片的尺寸越来越小,性能也随之增高,但是对电磁辐射等外界环境也越来越敏感......
随着集成电路制造工艺的改进,集成电路的特征尺寸越来越小、单位面积上集成的器件越来越多、阈值电压下降,软错误对集成电路的可靠......
随着集成电路工艺向纳米级、高密度、高性能与低成本的发展,其工作频率高、电压低等特性使其易受辐射环境中单粒子效应的影响,并可......
随着集成电路的发展,基于传统的总线互连的片上系统(SoC,System on Chips)出现了三大主要问题:地址空间有限引起的可扩展性问题,通......
集成电路技术的飞速发展,使得以数字计算机及微型机为基础的微机保护在电力系统继电保护方面得到了实际应用和广泛发展。然而数字......
集成电路制造工艺的飞速发展，使得集成电路的特征尺寸不断减少和集成度不断提高，造成集成电路对工作环境的影响越来越敏感，发生软错误......
随着集成电路工艺不断改进,电荷共享效应诱发的单粒子多点翻转已经成为影响芯片可靠性的重要因素.为此提出一种有效容忍单粒子多点......
提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗.采用内在读辅助技术消除......
本文以检测老化和软错误为切入点，提出了一种既能在线检测老化又能在线检测软错误的电路结构，硬件开销增加不足10%，却很好地整合......
本文提出了一种基于双模冗余的自恢复结构SDMR。两个冗余模块并行工作，当其中一个模块发生错误时，利用另一个冗余模块中的正确状态进......
为了提高自恢复控制器特别是其令牌寄存器对软错误的容忍能力，本文提出了基于双模冗余令牌的DMR—Token 自恢复结构。该结构对令牌......
随着CMOS工艺的不断进步，单个芯片上集成的晶体管数目越来越多，使得由高能粒子辐射产生的软错误已经成为影响处理器可靠性的重要因素......
该文讨论了矩阵运算容错的一种方法，讨论了矩阵容错算法软硬件实现时的额外开销，以及静态和动态软错误的扩散。分析了这种算法查纠单......
单粒子事件对航天工程的威胁越来越严重。研究星载计算机软件防护加固技术，在软件上采取抗干扰设计、容错设计、提高程序的自我保护......
通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nmSLC NAND闪存产品的可靠性影响.结果 表明,温度和......
随着工艺尺寸和电源电压的减小、存储器中多位翻转(MBUs)发生的几率越来越大,成为影响存储器可靠性的重要因素。内容可寻址存储器(......
随着集成电路复杂度的提高和处理数据能力的增强,芯片中存储器的比重越来越高,特征尺寸的下降又使存储器组合电路中发生单粒子瞬态......
随着工艺特征尺寸的不断缩小，芯片的可靠性问题日益突出。本文针对芯片的片上存储结构，提出了一种基于路交叉的低开销高可靠片上......
