寄生电感相关论文
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关......
大功率电力电子器件是电动汽车逆变器的核心部件,极大地影响着电动汽车的动力性能和续航里程。基于第三代半导体材料SiC的功率半导......
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先，在ANSYS Simp......
高新技术发展时期下，SiC等新型半导体的应用，促使PCB设计正向着集成化、高效化方向发展。优化设计从高频率、高密度两个方面为PCB设......
期刊
在分立器件并联型碳化硅逆变器中，主功率回路叠层母排的设计需满足低寄生电感、外电路对称及器件均温的目标。然而，现有叠层母排的结......
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
目前商用DrMOS多采用引线键合方式互连,然而引线键合会产生大量寄生电感,生产效率低.针对上述问题,应用面板级封装(PLP)技术,提出......
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性......
随着碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关速度的提高,针对SiC固态功率控制器(SSPC)在关断初期产生电压尖峰的问......
为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄......
功率半导体器件是电力电子变换器的核心,因此半导体器件的性能往往也决定着整个变换器的性能。新型宽禁带GaN材料器件与传统Si器件......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛,随着其输出电流的增大,抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性......
本文研究了常用IGBT逆变器吸收电路的基本工作原理,在此基础上,利用Ansoft Simplorer软件进行仿真并分析了线路寄生电感、吸收电阻......
会议
寄生元件危害最大的情况rn印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感.例如:PCB的寄生电阻由元件之间的......
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要.......
引言rn功率金属氧化半导体场效应晶体管(Power MOSFET)是当今电源中广泛使用的开关器件.功率MOSFET的工作频率不断提高,以减小器件......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在......
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰,通常抑制过电压的方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率.介绍了有效抑制......
随着集成电路的发展,由于封装寄生电感的存在,同步开关噪声的影响越来越严重。提出了一种COMS输出缓冲器同步开关噪声模型并且考虑......
对SPD及其连接导线中的寄生电感进行电路分析,指出导线中的寄生电感对SPD安装的影响。寄生电感既能削弱保护装置的箝位限压作用,也......
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰，通常抑制过电压法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。介绍了有效抑制IGBT......
VLSI电路的特征尺寸已降至深亚微米量级，频率已达2GHz。为保证高性能电路设计的正确性，需快速而精确地计算互连寄生电感电阻。本文提......
表面上看,似乎储能电容越大,为ic提供的电流补偿的能力越强。因此,许多人爱使用容量很大的解耦电容。其实这是一个错误的概念。由......
针对大功率变频电源高功率密度的要求，提出了一种新型叠层功率母线。这种功率母线采用5层式叠层功率母线技术，运用这种新型功率母线......
在亚洲专业的电力电子盛会PCIM Asia上,上海鹰峰电子现场展出了以电动汽车、光伏发电为主题的系列产品及解决方案,受到观展用户的......
高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化。随着应用中开关频率的进一步提高,Si......
随着开关频率的增大,寄生电感对碳化硅（SiC）器件动态开关过程的影响程度也越来越大,无法充分发挥其高速开关下低开关损耗的性能优势......
分析了氮化镓FET的栅极动态参数,并与硅MOSFET加以对比。分析了栅极驱动电路等效电路及电路模型,分析了驱动回路寄生电感应对驱动......
针对并联有源电力滤波器在运行过程中会多次出现IGBT爆炸的问题,经过实验分析了IGBT的过电压形成过程。鉴于IGBT的关断时间极短,连......
随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈,宽禁带半导体器件（GaN、SiC）在诸多方面展现出了很好的性能,如低导通阻抗,小输入、输出电容......
煤矿井下安全监控系统中本安电源供电的传感器传输距离差异较大，而本安设备评价系统中采用的关联火花试验是建立在传感器与本安电源......
为了研究高开关速度下寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,以Buck变换器为例,依据电力电子技术的基本理论,借助于Saber软件,分析......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛，随着其输出电流的增大，抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性能......
寄生电感一直都是电力电子器件应用中需要克服的主要难题，尤其对于高频和大功率应用场合。模块内部的寄生电感会造成关断过程出现过......
提出了网络适配器产品静电放电问题的分析及解决方法,并就器件的寄生电容及寄生电感参数对高速电路的影响进行分析总结,为高频滤波......
作为功率模块设计的关键环节,布局方案对于其可靠性产生巨大影响。如今,布局设计主要依赖于研究人员手动完成,在此过程中消耗了大......
以中压电机对拖测试平台为例,分析了中压大容量传动系统中母线电容与线路电感谐振问题的产生机理、影响因素和解决方案。首先提取......
近年来,由于具有高耐压、低导通电阻、开关速度快、结温高等优点,宽禁带半导体功率器件SiC MOSFET在交流伺服调速系统中的应用逐渐......
功率模块是实现电能变换和控制的关键元器件,而在IGBT模块封装过程涉及热学、力学和材料等多学科,随着集成化发展使得模块体积缩小......
对于压接式IGBT器件,封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致,使部分芯片在开关瞬态过程......
集成门极换流晶闸管(IGCT)是由门极换流晶闸管(GCT)与其门极驱动单元通过印刷电路版(PCB)集成在一起构成的一种新型大功率半导体器......
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半桥模块的寄生电感在实际应用中会引起芯片过电压及较大的关断损耗、电磁干扰等问题,设计了一种采......
<正>超级结(Super-Junction)MOSFET器件基于电荷平衡技术,在减少导通电阻和寄生电容两方面提供了出色的性能,这通常需要折中权衡。......
分析寄生电感与结温对GaN并联电路的性能影响。首先理论分析寄生电感与结温的影响情况,得出这些因素与电路损耗的关系式;并且结合......
介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力......
电容器是滤波器的重要组成部分，其寄生参数对高频滤波性能有重要影响。本文设计了一种新型的电容器寄生电感的“消除器”，以消除电容......
研制了一种自积分型Rogowski线圈，从电路理论和电路仿真角度分析了信号电阻的寄生电感和线圈对地电容对测量信号的影响。采用电阻并......
