寄生电感对Buck变换器中SiC MOSFET开关特性的影响

来源 :上海电机学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：MUWANG

【摘要】

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为了研究高开关速度下寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,以Buck变换器为例,依据电力电子技术的基本理论,借助于Saber软件,分析了漏极寄生电感Ld和源极寄生电感Ls对Buck变

【作者】

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范春丽赵朝会余成龙龙觉敏

【机构】

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上海电机学院电气学院

【出处】

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上海电机学院学报

【发表日期】

：

2015年2期

【关键词】

：

碳化硅金属氧化物半导体均效应晶体管 BUCK变换器寄生电感开关特性 SiC metal-oxide semiconductor field effect

【基金项目】

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国家自然科学基金项目资助（61402280）

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为了研究高开关速度下寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,以Buck变换器为例,依据电力电子技术的基本理论,借助于Saber软件,分析了漏极寄生电感Ld和源极寄生电感Ls对Buck变换器中SiC MOSFET开关特性的影响.仿真结果表明,随着寄生电感的增大,SiC MOS-FET的电压应力加大,开关损耗增加.

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