去除速率相关论文
互补式金属氧化物半导体（Complementary metal oxide semiconductor,CMOS）型图像传感器,即CMOS图像传感器（CMOS image sensor,CIS）在医......
VOCs在大气中主要是与OH自由基、NO3自由基和O3等反应氧化去除,部分OVOCs的自身光解也是重要的化学去除途径.本研究基于2018年和20......
随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸......
光学石英玻璃具有紫外透过率高、耐损性好、内部缺陷小和化学性质稳定等优点,被广泛应用于军工、航天和空间探测等领域,同时也是显......
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化......
期刊
通过电化学测试和化学机械抛光(CMP)试验研究了pH=10的抛光液中焦磷酸钾和双氧水的质量分数对Cu/Co电偶腐蚀的影响.结果表明,适量K......
碳化硅增强铝基复合材料具有高比强度、高比刚度、高硬度和低质量密度等优异性能,被广泛的应用在航空飞行、光学特精密仪器、汽车......
化学机械平坦化（CMP）是集成电路（IC）制造的关键工艺之一,是实现多层铜布线局部和全局平坦化的核心技术。阻挡层平坦化是铜互连CMP制程......
集成电路（IC）工艺技术是推动我国集成电路不断发展的重要基础,化学机械平坦化（CMP）是IC制造的关键工艺之一,是目前唯一能够实现全局和......
随着ULSI的特征尺寸减小，铜成为深亚微米技术中(0.18um及以下)硅材料上的布线金属，钽阻档层是防止铜向硅及介质扩散的最佳选择。铜CM......
本文利用碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称CMP)的机理及其理论模型进行了深入的研......
通过单因素试验对比不同的水力停留时间对生物塘系统处理生活污水的效果,从而选出最佳的水力停留时间.生物塘系统分三阶段在三组不......
在高浓度高氯酸盐ClO4-(1500mg·L-1)的条件下,驯化得到能够处理高浓度ClO4-废水的异养厌氧高氯酸盐还原菌群.通过摇床实验,用控制......
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法, 以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标, 选取最适合硒化锌抛光的磨料, 通过单因素实验对......
针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的SiO2磨料对蓝宝石......
目的 制造新型高硬度硅溶胶,满足硅晶圆化学机械抛光(CMP)既要高抛光速率,又要高抛光质量的要求.方法 利用恒液面聚合生长法制备硅......
近年来，锑污染逐渐恶化，造成严重的环境问题，威胁人类健康，亟待治理。除锑技术主要包括吸附、凝结/絮凝、电化学、离子交换等，其中吸附......
针对国内外较少探讨除草剂工业生产过程中产生的实际废水应用O3/UV处理，尤其是杂环取代脲类除草剂生产废水的降解，本文采用O3/UV技术......
当核电厂发生严重事故时，堆芯内熔融物与混凝土发生反应会产生大量的源项放射性裂变产物，最终在安全壳内汇聚。放射性裂变产物主要以......
载人航天器或潜艇等密闭环境中CO2的去除和O2及时补充，是环控生保系统的重要任务之一。密闭空气中CO2去除技术首先要求高效、稳定和......
针对钴阻挡层化学机械抛光(CMP)中,Cu、Co、TEOS等多种异质材料去除速率选择性差,采用络合剂柠檬酸钾配制多层铜布线钴阻挡层抛光......
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙......
研究了锌铜双金属微米颗粒(mZn-Cu)对As(Ⅲ)的去除效果,同时探究了不同种类金属材料、mZn-Cu微米颗粒用量、溶液初始pH值对As(Ⅲ)......
试验选取梭鱼草、狐尾藻、野茭白为材料,构建三级表面流人工湿地+吸附池系统,研究其对湖南典型矿区Cd超标灌溉水净化效果,并分析Cd......
气浮因其占地面积小,可通过药剂的投加有效降低出水的COD和SS,并可去除一些轻质杂质如表面活性剂、油类物质得以广泛应用.对综合印......
试验选取梭鱼草、狐尾藻、茭白为材料,构建三级表面流人工湿地+吸附池系统,研究其对湖南典型矿区Cd超标灌溉水(全量Cd浓度均值≈6.......
快速净化含有重金属的农田灌溉水具有重要的意义,本论文研究了水葫芦和磷肥对灌溉水中重金属镉的快速去除效果及机制.结果显示:水......
在厌氧池的HRT分别为36h、48h、60h下研究厌氧-A/O工艺处理模拟印染废水的处理效果.结果表明,在HRT=48h时出水效果达到最佳,此时出......
针对煤矿酸性废水(AMD)具有污染组分多、危害程度严重、地面处理成本高等特点,以固定SRB污泥的生物麦饭石作为PRB活性填料,并添加F......
为进一步挖掘酿酒副产物黄水的资源化利用空间,构建不锈钢单室微生物电解池(MEC)处理黄水并实现能源回收.以4%的黄水为基质,考察不......
自修整特性是亲水性固结磨料研磨垫(FAP)的重要性能之一.为了探究其自修整的实现机理,使用PHL-350型平面高速研磨抛光机对K9玻璃圆......
一、引言在低浓度硝酸钠溶液中电解加工铁基合金时,一般来说,其效率曲线在钝化区效率很低,截止电流io较大,在超钝化区曲线斜率较......
本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧......
以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅......
为了达到Ta的高去除速率,通过实验改变碱性阻挡层抛光液中各组分的体积分数,研究各组分变化对阻挡层材料Cu和Ta抛光速率的影响。碱......
稳定性是衡量化学机械抛光(CMP)中抛光液性能的一个重要指标,低磨料和低p H值是抛光液发展的方向。研究了不同p H值对低磨料碱性铜......
由于钴(Co)具有优良的化学物理特性成为下一代极大规模集成电路阻挡层材料之一。Co在碱性抛光液中易被氧化进而钝化其表面,导致Co......
本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同的腐蚀速......
钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬......
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型......
研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响。对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下......
随着集成电路（IC）技术的不断发展和器件特征尺寸的持续降低,为获得IC高集成化、高功能化、高速化和低功耗,高K介质/金属栅（HKMG）制程代......
集成电路制造工艺进入65 nm技术节点后,金属铜（Cu）布线层数超过十层,铜膜变得越来越薄。如果化学机械平坦化（CMP）中抛光压力过大,会引......
