AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响

来源 :应用化工 | 被引量 : 0次 | 上传用户：okhere

【摘要】

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铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响。结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张力和接触角逐渐增大,润湿性逐渐变差,抛光液中大颗粒数先减少后增加,当EO数为9时,大颗粒数最少,且粒径分布(PSD)趋于窄化。随EO加成数增加,Ta去除速率基本不变,Cu和SiO₂介质去除速率分别由378/min和695/min降至167/min和234

【作者】

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宋国强檀柏梅刘玉岭王辰伟

【机构】

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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室

【出处】

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应用化工

【发表日期】

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2021年9期

【关键词】

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铜互连阻挡层CMP 表面活性剂 EO加成数粗糙度大颗粒计数粒径去除速率

【基金项目】

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国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007),国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61704046),河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。

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