我们用X光电子能谱（XPS）详细研究了C60和Yb化合过程中C ls，Yb4f和Yb4d芯态的变化。结果表明相纯薄膜样品的组分接近Yb2.75C60，相纯样品（Yb2.75C60） C ls峰位相对于纯C60薄膜向低结合能方向移动～0.5 eV，半高宽变为约1.4 eV（以纯C60的0.9 eV作参考）。XPS研究得到的Yb/C60化合物相纯样品组分与文献中X射线晶体衍射（ XRD）研究结果基本相符。这两个特征可用于相关工作的样品表征。Yb4f,4d XPS峰位与强度表明Yb与C60化合后的价态为Yb2+。　　 使用角积分紫外光电子能谱（ AIUPS）对C60沉积到Yb薄膜上的相衍变研究表明，Yb6s电子非常容易转移到C60的LUMO（最低未被填充分子轨道the lowest unoccupied molecular orbital）轨道上，从而说明Yb-C60的化合主要以离子性结合为主。在C60沉积量为亚单层时，我们在实验中首次观察到C60的LUMO+1轨道也被部分填充。UPS谱线中没有Yb3+存在的证据，即Yb与C60化合后的价态为+2价，与XPS的研究结果一致。　　 我们测量了相纯样品Yb2.75 C60薄膜的角积分紫外光电子能谱（AIUPS），获得了Yb2.75 C60的价带电子态密度分布。Yb2.75 C60价带是以～0.8 eV（结合能）为中心的一个宽峰，费米能级处没有电子占据。因此，Yb2.75 C60是目前所知唯一的正常态UPS具有半导体特性的富勒烯超导化合物（如果Yb2.75 C60是超导相的话）。研究结果还表明，在Yb-C60的结合中，至少有14％的的共价成分。　　 我们用同步辐射光电子谱（SRUPS）研究了从纯C60到Yb掺杂饱和为止的价带衍变过程。实验结果表明，在掺杂的任何阶段（即对于任何可能存在的相），室温时都是半导体性质。因此，无论超导相是Yb2.75 C60还是Yb4～5 C60，Yb掺杂的C60超导化合物在室温条件下是半导体。（究竟是什么相能发生超导转变，科学界还没有认识清楚，但Yb富勒烯中存在超导相已无疑义。）同时，在C60薄膜上掺杂过量的Yb时候，即形成Yb2.75 C60相后继续掺杂Yb会形成不同于Yb2.75 C60的相，而且其中的LUMO+1也被部分填充。对于这些新的相的详细信息尚需要别的实验方法进一步的研究确定。　　 利用同步辐射光电子谱测量结果，我们定量分析了Yb4f电子对实验谱线的贡献，从而得到精确的价带电子态密度分布。在研究过程中还发现，在Yb2.75 C60中，HOMO和HOMO-1的光电离截面振荡周期与纯C60中的情况相同，但振荡幅度明显小于后者。这些结果说明，对于稀土富勒烯，须尽量选择能量在30eV以下光子以得到对价带结构的初步认识（精确的认识还需要类似本文的拟合工作）。同时，在Yb2.75 C60中，观察到的HOMO和HOMO-1的光电离截面振荡现象，对深入理解C60及其化合物的光电离截面振荡现象有一定的参考意义。　　 本文第三、第四章的工作文献中已有一些报道。我们的特色是研究得更详细，发现了一些新现象，消除了文献中一些矛盾的结果。第五、第六两章的研究内容和结论为首次报道。