提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向......

提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析......

提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型．通过分区求解二维Poisson方程，获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压......

基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构......

提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程．获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电......

如何有效的控制激光器热效应已经成为激光器研究重点之一。激光晶体的热效应由晶体的热耗、晶体自身的性质以及晶体散热方式共同决......