绝缘栅双极晶体管（insulated-gate bipolar transistor,IGBT）是一种功率半导体开关器件,以其优秀的性能,现已被广泛运用于家用电器、现代工业等各种领域,其安全性问题日益成为电力电子技术研究的热点之一。研究表明,随着功率密度的增大,工作时开关频率的加快,IGBT模块的芯片温度将会愈来愈高,晶体管的失效率会随温升呈指数规律增加,温度过高导致的功率器件的失效率大于50%,因此,对IGBT模块的散热过程提出了更高要求。目前IGBT模块的散热方式多集中于不同种类型外部散热器的开发或者芯片结构微通道刻蚀技艺的完善等方面,这些方式一定程度上满足了特定工况中的温度不宜过高的要求,但对于要求IGBT器件高频运行的应用领域,随着IGBT开关频率的加快上升,其产生的热量依旧集中于芯片内部无法快速散去,温升得不到有效抑制,同样面临失效率增加的问题。除此以外,其外部的散热器部件也会使IGBT模块的“体格增大”,给具体的硬件电路设计造成不便,同时具备一定的经济损失。鉴于上述问题,本文研究并引入三种随机脉冲宽度调制（pulse width modulation,PWM）技术,分别为随机载波频率PWM、随机占空比PWM和随机死区PWM。通过对IGBT模块的散热过程分析,同时结合三种随机PWM方式的特点,在理论上推导出随机PWM方式与IGBT模块开关过程的契合点（即是IGBT模块的产热与散热时间均可与PWM波的高低电平时间对应）,并且在随机PWM方式作用下IGBT模块与外界环境的温度梯度大于无随机方式作用下的温度梯度,从理论上得出随机PWM方式作用下的IGBT模块散热量更多。为了验证理论的可靠性,进而进行实验验证,实验的验证手段是观测三种随机PWM方式单独对IGBT模块的温升抑制效果,具体过程为:IGBT模块驱动永磁同步电机（permanent magnet synchronous motor,PMSM）运行的过程中,从相同的IGBT模块起始温度开始,引入无随机与三种类型不同的随机PWM调制方式,分别在等同的运行时间段内测量其温度的变化情况,并进行温度数据分析。实验结果表明随机PWM三种随机方式均对IGBT模块的的温升有抑制作用,且能降低电机的三相电流失真比,对电机运行的稳定性和IGBT模块的安全性起到了积极作用,同时随机PWM方式作为一种软件技术,实验中随机PWM方式与外部散热器共同促进IGBT模块散热过程,这对不同类型散热方法的结合研究具有借鉴意义。