激子结合能相关论文
近些年来,钙钛矿材料在诸如太阳能电池,光发射二极管,光探测器,激光器等领域取得了重大的研究进展。其中,二维钙钛矿因其稳定性好,......
有机-无机杂化钙钛矿由于其高载流子迁移率、高光致发光量子产率（PLQY）、可调节带隙和窄发射宽度等特性而成为高性能发光二极管（LED）的......
有机无机金属卤素杂化钙钛矿是一类极具应用前景的光电功能材料。三维钙钛矿主要应用于太阳能电池的吸光层是目前一大研究热点。通......
在超薄和延展性较好的光电设备应用中，二维过渡金属硫族化合物(TMDs)已经展现出了巨大的发展潜力,他们不仅拥有可发射性的亮态激子，......
功能的密度和许多身体不安理论计算被执行调查基本、光的 bandgap，激子绑定精力和正常和设计紧张、设计扭曲的很少层黑人磷(BP ) 的......
探索和制备具有高能量转换效率(PCE)的有机太阳能电池体系是有机电子学的重要领域和研究热点。本文利用量子化学和分子动力学计算......
在Si衬底上用电化学沉积方法制备了Mn掺杂ZnO纳米晶,X射线衍射(XRD)的研究表明,Mn离子取代Zn离子进入到ZnO晶格中。场发射扫描电子......
计及电子－声子相互作用计算了极性－极性半导体量子阱中激子的结合能．考虑空穴带质量的各向异性，利用变分法计算了在量子阱中与电子和空......
利用巳有的电子——空穴有效作用势,引进一校正因子ε/ε_0后,用变分法计算溴化铊和氯化铊中激子的结合能,得出的结果比现有的其它......
在有效质量近似的框架下,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子点中的激子态及相关光学性质,探讨电子与空穴在量子点中的三维空间......
一维ZnO纳米结构由于具有比表面积大、室温下具有大激子结合能等特点而受到广泛关注.但是如何实现纳米结构的器件一直是目前研究的......
选取三量子阱模型,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响,主要计算激子结合能随阱宽和垒厚的变......
ZnO作为一种重要的金属氧化物半导体材料,在光电、压电、气敏等方面的性能和应用研究,受到了相关领域研究人员的广泛关注,特别......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III......
有机铅卤钙钛矿CH3NH3PbX3（X = C1,Br,I）因为在太阳能电池领域的优秀表现而引起广泛的关注。在短短几年的研究时间内（2009-2016）,钙钛......
白光发光二极管(White Light Emitting Diode,WLED)作为第四代固体照明光源,因其在环保和性能等方面具有突出的经济与技术优势,彰......
氧化锌(ZnO)是第Ⅱ～Ⅵ族化学物半导体功能材料,具有六方纤锌矿结构,直接宽带隙3.37eV,束缚激子结合能高达60meV。一维的氧化锌纳米......
有机-无机杂化钙钛矿材料具有分子尺度上调节能带结构的特点,在光、电、磁等领域均表现出了优异的性能.通过简单的旋涂方法,成功的......
本文由作者导出的极性晶体表面激子的有效哈密顿量出发,用变分法计算了一些极性半导体材料的表面激子结合能,进一步讨论了晶格振动......
氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述......
本文计算了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs复合量子阱中激子结合能变化与磁场的关系。目前理论计算在高、低磁场区分别采用二个变分波函数,......
本文考虑更符合实际的阱和垒中介电常数的差别,采用变分法[1]讨论GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合三量子阱中激子结合能[2]及其压力效应[3......
本文利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了约束在GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态。详细讨论了激......
本文选取三量子阱模型，采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响. 首先，简要综述了关于多层材料量......
宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性。ZnO在高自由激子结合能(60meV)、......
采用密度泛函理论和含时密度泛函理论方法计算了2个吩噻嗪类染料及其吸附到TiO2上后分子的基态和激发态光物理性质与热力学参数.结......
利用变分原理及有效质量近似,研究In组份对InxGa1-xN/GaN量子阱光学性质的影响,结果表明,考虑内电场的影响后,电子与空穴复合率减......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结......
在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs／InPBi／InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况，分析了外加电场和磁......
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃......
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结......
采用变分法与自洽计算相结合的方法讨论了在电子-空穴气体屏蔽影响下应变闪锌矿（001）取向GaN／AlxGa1-xN量子阱中激子结合能的压力效应......
随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使......
基于有效团的近似的框架，电离领受人界限激子(一， X ) 有约束力的精力和排放波长为圆柱的 wurtzite (WZ ) 被调查有借助于一个变化方......
研究了阴离子和阳离子混合型碘系钙钛矿薄膜材料的结构、光学性质及光致发光温度特性.研究发现,阴离子混合型碘系钙钛矿(MAPb(BrxI......
利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了Al含量对局域在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响．结果表......
在有效质量近似条件下,利用变分法计算了量子点高度对GaN/AlGaN量子点光学性质的影响。研究了激子结合能、量子点发光波长、电子-......
在双量子阱近似下，用变分法计算了（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的激子结合能，为光致发光谱和光致发光振荡谱的分析提供了依据和参考数据。......
全无机溴铅铯钙钛矿材料因其优异的光电特性,成为当前材料和器件领域研究的热点,尤其是在太阳能电池、发光二极管、光电探测器等方......
近年来,有机无机杂化钙钛矿材料凭借其独特的结构与出色的电学性能,在太阳能电池方面得到了广泛的研究。其中的代表,甲胺铅碘MAPb ......
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了 InxGa1- xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点......
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的 GaN/AlxGa1- xN量子点中的激子......
本文在有效质量近似下,利用变分法计算了AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs非对称耦合双量子阱系统中重/轻空穴激子态的......
