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运用求解任意势中波函数和转移矩阵方法相结合的方法，讨论双势垒结构中类氢杂质位置变化对电子共振隧穿的影响，计算得到电子的共振能级、波函数、透射系数．结果表明：杂质会使双势垒结构的有效势阱加深，从而使得电子的共振能量向低能区移动．电子在势阱中的平均位置越靠近杂质中心所在的位置，相应的有效势阱越深，使得共振峰的能量越低．类氢杂质在势阱中央时，处于第一激发态的电子共振能量最高，而处于第二激发态的电子共振能量最低．