硅锗相关论文
Resonant cavity enhanced photoluminescence of tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon-on-i
The tensile strained Ge/SiGe multiple quantum wells(MQWs) grown on a silicon-on-insulator(SOI) substrate were fabricated......
Superlattices have great application potentials in thermo-electric materials and solid laser techniques.Their complicate......
介绍了新近研制的用于 Si Ge材料生长的超高真空 ( UHV) /紫外光 ( UV) /能量辅助 CVD工艺系统。
A newly developed ultrahigh v......
含硅和锗的硼酸盐晶体材料,因其在深紫外非线性潜在的应用价值,近年来受到广泛的关注.本论文以探索新型非线性光学晶体材料为目标,......
硅锗分子筛IM-12(Si/Ge=5)在高温酸性条件下发生脱锗补硅的同晶取代现象,并得到Si/Ge 大幅度提高的、与IM-12 母体具有相同拓......
采用量产的玻璃衬底硅基薄膜太阳电池的沉积设备及相对应的生产工艺,利用玻璃做衬底转移,制备低成本的聚酯膜衬底的柔性太阳电池组......
为提高p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅(a-Si/a-SiGe/μc-Si)三结叠层薄膜电池的效率，本文分别从透明导电窗口层、非晶硅顶电池......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，对p-i-n 型窄带隙(...
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术，重点针对用于双结叠层电池的底电池或三结叠层电池的中间电池-非晶硅锗(a-SiGe)太阳电......
本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提......
本文针对磁致冷材料-钆硅锗系合金中锗的ICP-AES分析方法展开了研究。该合金的主成分钆、硅、锗三种元素的化学性质迥异，给样品......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，衬底温度在180℃沉积非晶硅锗薄膜材料及太阳电池。本文研究了反应气体中的锗。......
一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所......
三元合金钆硅锗随温度变化存在二次磁相变，在～50K至～180K之间具有巨磁变温效应，应用这效应制备磁致冷器，工作温度在30K至29OK之间可调，这......
绝缘体上硅(silicononinsulator，SOI)技术和硅锗(SiGe)技术都是微电子领域中的前沿技术。绝缘体上硅锗(SGOI)材料是由日趋成熟的SOI......
现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体......
BiCom3是一种适合高速器件设计的先进高效能互补Bi-CMOS工艺,不仅提供很高的晶体管转换频率(transit frequency),还具备绝佳的线性......
IBM和泰克公司合作利用硅锗技术(SiGe)开发出世界上速度最快的实时示波器.计算机和通信的结合已奇迹般地重新确定了对极端数据带宽......
近日,深圳方正微电子有限公司宣布,在其6英寸SiGe生产线中采用艾默生网络能源有限公司Hipulse7000系列大功率UPS以及UPS专用免维护......
来自IBM和佐治亚技术学院的一个研究小组展示了运行频率超过500GHz的异质结S i G e(硅锗)双极晶体管。该研究小组表示,尽管这一结......
CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺一贯能给半导体业带来惊喜.CMOS价格下跌而速度增加,这种局面主要有利于数字IC设计者.数字IC设计......
引言rn最近在低压硅锗和BiCMOS工艺技术领域的进步已经允许设计和生产速度非常高的放大器了.因为这些工艺技术是低压的,所以大多数......
以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟。运用双体分布函数与原子直观构型及......
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率......
一条宽带双反馈的低噪音放大器(LNA ) 被分析，设计并且实现了使用 SiGe 异质接面双极的晶体管(HBT ) 技术。设计分析以获得，匹配的输......
安森美半导体宣布其硅锗(SiGe）Gigacomm系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平(QFN)封装。这种封装与其他工业等级温......
IBM公司(位于纽约州的Yorktown Heights)决定为小型企事业组织,以及大学,提供以SiGe工艺制作的多芯片晶圆投片服务.SiGe具有比硅高......
首先描述先进的0.18μm SiGe-biCMOS生产流程(SiGe 120)并讨论在设计SiGe 90时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需......
如何表征SiGe/Si异质外延薄膜中的应变对提升SiGe器件的性能至关重要.本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射......
德州仪器(TI)宣布推出业界最低噪声、最低失真度的全差动放大器THS4509，THS4509充分利用了TI独特的高速BiCom—Ⅲ互补双极硅锗(SiGe......
瑞萨科技公司（Renesas Technology）推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2．4GHz／5GHz双模硅锗（SiGe）单片微波集成电路（MMIC）H......
BGA615L7是专门针对高线性和高灵敏性全球定位系统（GPS）应用设计的低噪放大器MMIC。...
泰克公司宣布其下一代高性能实时示渡器将采用IBM的最新9HP硅锗（SiGe）芯片制造工艺。IBM的第五代半导体技术与正在申请专利的异步时......
本文评述了硅超高速双极技术的研究现状与极限，指出ＳｉＧｅ异质结构将显著提高现有纯Ｓｉ器件的电性能，并将成为发展下一代硅超高速双极器件和电......
介绍了新近研制的用于ＳｉＧｅ材料生长的超高真空（ＵＨＶ）／紫外光（ＵＶ）／能量辅助ＣＶＤ工艺系统。......
