Si（001）衬底上方形3C—SiC岛的LPCVD生长

来源 :材料科学与工艺 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luciferr1

【摘要】

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Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜(SE

【作者】

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孙国胜罗木昌王雷朱世荣李晋闽林兰英

【机构】

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中国科学院半导体研究所材料科学中心

【出处】

：

材料科学与工艺

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

方形3C-SiC LPCVD Si(001)衬底半导体材料碳化硅硅衬底异质外延生长 square shaped 3C-SiC islandsLPCVD

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金

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Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌.结果表明,3C-SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散,气相中C原子浓度决定了SiC岛的生长过程.

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