Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：javaer0128

【摘要】

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介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)衬底上获得了高质量的3C-SiC外延材料.用X射

【作者】

：

孙国胜王雷罗木昌赵万顺孙殿照曾一平李晋闽林兰英

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

CVD/LPCVD 异质外延生长 3C-SiC CVD/LPCVD heteroepitaxy 3C-SiC

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介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)衬底上获得了高质量的3C-SiC外延材料.用X射线衍射和Raman散射技术研究了3C-SiC外延膜的结晶质量,在80～300K的温度范围内利用Van der Pauw方法对1～3μm厚的外延膜的电学特性进行了测试,室温Hall迁移率最高达到470cm2/(V*s),载流子浓度为7.7×1017cm-3.

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