用ECR-CVD方法制备SiO2薄膜

来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tanwenbin89

【摘要】

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本文在低温下利用ECR-CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系.直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%.对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050 cm

【作者】

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吴振宇杨银堂汪家友

【机构】

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西安电子科技大学

【出处】

：

真空电子技术

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

电子回旋共振化学汽相沉积氧化硅薄膜 ECR CVD SiO_2 Film

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本文在低温下利用ECR-CVD技术沉积SiO2薄膜,讨论了沉积速率和薄膜折射率随工艺条件变化的关系.直径6英寸片内均匀性达到96%,重复性达到97%.对薄膜进行了FTIR光谱分析,1050 cm-1处出现Si-O-Si伸缩振动吸收峰;仪器检测精度内,并未出现明显的Si-H和N-H吸收峰,表明薄膜具有很低的H含量.

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