【摘 要】
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用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(Silicon On Insulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京市太阳能研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金，北京市自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)
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用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(Silicon On Insulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8.12%(1×1cm2,AM1.5,23℃).扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射
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