rf-PECVD相关论文
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以CH4、N2和Ar作为气源,在不同氮气分压下制备掺氮类金刚石薄膜(α-C:H(N))薄膜......
This paper presents the polyethylene oxide (PEO) functional film polymerized by radio frequency plasma-enhanced vapor ch......
本文采用射频等离子体（13.56MH），以乙二醇二甲基醚（Ethylene Glycol DiMethyl Ether）为聚合单体，氩气为辅助气体，合成类聚乙烯氧（PEO-l......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以PH3为掺杂剂,在浮法玻璃衬底和不锈钢衬底上制备了纳米级的n型微晶硅薄膜。采......
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(VCH4/VAr......
This paper reports that the SiOx barrier films are deposited on polyethylene terephthalate substrate by plasmaenhanced c......
采用射频等离子体化学气相沉积技术(RF-PECVD)在单晶硅片衬底上制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氮化硅薄膜.实验表明:制备的氮化硅薄......
微晶硅薄膜太阳能电池没有非晶硅电池的S-W效应.与非晶硅电池构成叠成,不但可以拓展电池的光谱响应范围,还可以提高电池的稳定性.......
采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获......
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、......
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、......
本文介绍了采用RF-PECVD法在3Cr13不锈钢基体圆片上沉积制备类金刚石多层膜,其内层薄膜为掺Si的过渡层,外层为不同厚度的在50nm～100......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电......
采用13．56MHz射频等离子体聚合装置，以六甲基二硅氧烷（HMDSO）和四甲基硅氧烷（TMDSO）为单体、氧气以及氯气为反应气体、氩气为电离气体，在......
本文综合评述了用射频率等体化学气相沉积法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。......
以六甲基二硅氧烷（HMDSO）和四甲基硅氧烷（TMDSO）为单体,以氧气以及氮气为反应气体,以氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上......
以CF4和CH4的混合气体为源气体,以Ar为工作气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf-PECVD)制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,并在Ar......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在超高分子量聚乙烯(UHMWPE)表面制备类金刚石(DLC)膜,用激光拉曼(Raman)光谱仪......
氮做氟化的非结晶的碳(交流：F ) 电影用收音机频率血浆被扔提高了化学蒸汽免职(RF-PECVD ) 并且在 Arenvironment 退火了以便调查他......
利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅（nc-Si：H）薄膜.......
用射频等离子增强化学气相沉积（RF—PECVD）法，在常温下实现在载玻片和单晶硅基片上沉积类金刚石（DLC）薄膜。研究结果表明，工艺参数（功率密......
利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF—PECVD）技术，以B2H6为掺杂剂，在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的P型微晶硅薄膜。为获得高电导......
采用射频等离子体，以乙二醇二甲基醚（Ethylene Glycol Dimethyl Ether）为聚合单体，用氩气作为工作气体，合成类聚氧化乙烯（PEO-like）官能聚......
本文综述了太阳电池的研究现状和发展趋势，对各种制备方法以及各类薄膜太阳电池分析了各自的优缺点。最后对太阳电池的未来应用进行......
采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜（nc-Si∶H）,并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。分析......
采用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF—PECVD）技术，以H2和SiH4作为反应气体源，在不同的衬底温度下沉积了nc-Si：H薄膜。采用Raman散射......
利用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以CH4为气源,在单晶锗基底上制备了具有红外增透效果的薄膜。Raman光谱分析表明,D峰和G峰......
用 Ｂ２Ｈ６和 ＳｉＨ４作反应气体，通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法，在 Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜，用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测，并用红外透射光......
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，以CH4、H2为气源，Ar-为稀释气体，通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例（CH......
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法制备磷掺杂氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射......
单晶硅和多晶硅体太阳能电池成本居高不下，非晶硅和非晶硅薄膜太阳能电池又有光致衰退效应的困扰。多晶硅薄膜太阳能电池则兼具两者......
以SiH4与H2为气源，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术．在较低的温度（200℃）和较高的压强（230Pa）下，在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶硅薄膜材料.光发射谱(OES)测量技术对......
以SiH4／H2为气源，用PECVD沉积技术，在低温（200℃）、高压下（230Pa）下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用......
利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅（nc-Si∶H）薄膜。其中衬......
采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）在钢衬底上沉积氮化硅薄膜。用台阶仪、X射线光电子能谱（XPS）、透射电镜（TEM）和扫描电镜（S......
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明：由于＂硼掺......
利用PF-PECVD法,对经喷砂酸蚀处理的医用纯钛片进行等离子体氧化处理:以表面接触角为评价依据对工艺参数进行了优化,发现在本实验......
硅异质结SHJ(Silicon Heterojunction)太阳电池,由单晶硅片和非晶硅薄膜(a-Si:H)构成,因具有低成本、高效率的特点而备受国内外研......
开发低成本、稳定以及高效的太阳能电池是光伏领域研究的目标，而HIT太阳电池既具有晶硅太阳电池的高效特性又具有薄膜太阳电池的低......
石墨烯是由一个sp~2杂化碳原子层构成的二维蜂窝状晶格结构材料，由于其特殊的结构和优异的物理性能，如大的比表面积、高的电子迁移率......
类金刚石膜(DLC)具有许多优异的性能,包括高硬度、高耐磨性、低摩擦系数、热稳定性、红外透光性、高电阻、低介电常数、高疏水性以......
本文在泵体柱塞试件(钢5CrMnMo)表面上,采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,通过控制不同的甲烷、氢气、氩气流量和......
眼睛是人类获取外界信息最重要的器官,但许多人由于一定的问题都需要进行视力矫正,而眼镜作为“人类应用最广泛的一种光学治疗的药......
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压（133～266Pa）下，以0．4nm／s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化......
