射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜

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采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133~266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10^-3~10^-4/Ω·cm。红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失。
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