B掺杂相关论文
采用溶胶-凝胶结合协同自组装法，以三嵌段共聚物F127为模板剂，以正硅酸乙酯为硅源，以酚醛树脂为碳源，改变硼酸三异丙酯硼源的投料量，制......
随着社会和经济的发展,制冷已经进入人们生活的方方面面。传统气体压缩制冷技术由于能效比低、环境污染等问题,难以适应现代社会绿......
学位
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
近年来,能源危机与环境问题愈演愈烈,随着化石燃料消耗量的日益增加,很多宝贵资源面临枯竭的危机。氢能作为21世纪的新型二次能源,......
利用溶胶-凝胶法(sol-gel)在玻璃和硅衬底上生长了B掺杂量分别为0 at％、0.5at％、1.0 at％、2.0 at％、3.0 at％、4.0 at％的ZnO薄膜.采用X射......
通过化学镀再电化学氧化的方法在铜片表面制备出带有微米微坑和微米微球的均一NiO/Ni(OH)2和B掺杂的NiO/Ni(OH)2(B)2种电极材料,采......
基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)C......
高效率、低成本、长寿命一直是太阳电池研发的目标。硅量子点(Si-QDs)薄膜因具备带隙可调、原料丰富和量子限域效应等优点,成为目......
学位
由于TiC晶体结构的非化学计量比特性,其晶格中存在大量空位,一定条件下会有不稳定性。在铝熔体中TiC会与Al反应生成Al_4C_3相同时......
采用双靶共溅射方法制备了微量B掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的掺杂原子浓度、表面......
采用水热晶化法制备了不同掺硼(B)量的B/TiO2,利用可见光催化降解有机污染物试验考察制备条件对其光活性的影响,得到最佳制备条件:......
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对B掺杂锐钛矿相TiO2的晶胞参数、B-O键长、电荷布居、能带结构、电子态密度及吸收光谱进行了......
二氧化钛(TiO2)作为n型宽带隙无机半导体材料，具有无毒性、耐光化学腐蚀、无二次污染且优异的光催化活性，在光催化、气体传感器、空......
稀土磁致伸缩材料自上世纪七十年代开始发展以来,一直备受关注。它具有良好的电磁能与机械能或声能相互转换功能。本文通过电......
ZnO是一种n型直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度Eg为3.37 eV。由于其原材料丰富且无毒，具有高电导和高透过率，并且在H等离子体环境中......
碳纳米材料由于具有比表面积大、吸附动力学性能良好和可逆储氢等特点而广泛应用于固态储氢。多孔石墨稀是在实验上得以成功制备的......
本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定住置是Pt吸附......
本文研究了B2H6掺杂流量(B掺杂)对平面结构MOCVD-ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响.XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明,玻璃衬底上......
利用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO3的晶格参数、Mulli......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明：对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最......
利用磁控溅射法将厚度可控的B掺杂到FePt多层膜中，构成FePtB多层膜体系。多层膜结构采用中问层掺杂和底层掺杂等方式组合，由此研究热......
The influences of BaCu(B2O5)(BCB) addition on sintering,microstructure and microwave dielectric properties of Li2MgTi3O8......
以硼酸和钛酸丁酯为主要原料, 以活性炭(AC)为载体, 用溶胶-凝胶法制备了B掺杂TiO2/AC光催化剂.用X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射......
采用浸渍法制备了B掺杂的Cd0．5Zn0．5S光催化剂，考察了不同B掺杂量的Cd0．5Zn0．5S催化剂在可见光光照下的放氢活性和稳定性．实验结果表明，B......
采用固相燃烧法制备了单晶多面体尖晶石型LiMn1.94B0.06O4正极材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及充放电......
以B掺杂Mo-V-Te-Nb-0复合金属氧化物作为催化剂，研究了丙烯一步氧化制备丙烯酸的反应过程。考察了反应温度、丙烯空速、氧烯比以及......
研究了用快淬制备的铸态和退火处理后Co-Cu—B合金条带的磁电阻性能、微观结构．随B含量的增加，MR幅度减少．利用分析电镜观察发现C03B......
利用基于密度泛函理论的超软赝势方法（PWP），结合局域密度近似（LDA）计算替位式掺杂B的Sr2MgSi2O7的电子结构。预测了B掺杂Sr2MgSi2O7的晶......
研究了利用LP-MOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响．对XRD和SEM的研究结果表明，B掺杂对ZnO薄膜的微观结......
在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜，利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响。结果显示，B元......
采用水热法合成锐钛矿型B掺杂的TiO_2纳米粉,并进一步制得B/TiO_2纳米管,采用XRD、TEM、SEM、EDS、FTIR、UV-Vis、BET及PL等对B/Ti......
通过第一性原理计算,采用Dmol3模块考察了B原子分别掺杂C3N二维材料的C位(B/C-C3N)和N位(B/N-C3N)所形成的两种单原子催化剂的结构......
在阳极氧化电解液中添加NaBF4制得了具可见光活性的B掺杂TiO2纳米管阵列（B/TNTs）。采用扫描电镜（FE-SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、......
采用溶胶-凝胶法合成了B掺杂的TiO_2光催化剂,并用XRD、SEM、XPS、FT-IR、BET等手段进行了表征。结果表明,掺杂B可抑制TiO_2晶体的......
纳米TiO2作为纳米材料的一员,由于其具有极大的体积效应、表面效应和颜色效应以及良好的光学特性,故在光、电及催化等方面显示出特......
硫化镉(Cd S)是一种重要的II-VI族化合物半导体材料,它具有宽的直接带隙(~2.42 e V)、高的载流子迁移率(3×105 cm2/V·s)和良好的......
采用柠檬酸-溶胶凝胶法成功合成出Li2+xMnBxSi1-xO4锂离子电池正极材料。采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对材料的结构和形貌进行......
基于第一性原理的方法计算了B掺杂Ca2Si的电子结构,计算结果表明,B掺杂使晶胞体积减小,带隙变窄,导电类型为P型。......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制......
采用阳极氧化法制备TiO2纳米管（TNTs）,在电解液中添加NaBF4制备B改性的TiO2纳米管（B/TNTs）,用湿浸渍法在TNTs和B/TNTs表面进行Ru改性制......
采用阳极氧化法制得TiO2纳米管（TNTs）、B改性TiO2纳米管（B/TNTs）,再结合湿浸渍法制得Ru改性TiO2纳米管（Ru/TNTs）和B、Ru共改性TiO2纳米管......
在众多半导体材料中，TiO2由于其光催化活性高、价格低廉、化学性质稳定、无毒等特点受到人们广泛关注，TiO2的回收-再利用性能也成为......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空......
二氧化钛（TiO2）作为n型宽带隙无机半导体材料,具有无毒性、耐光化学腐蚀、无二次污染且优异的光催化活性,在光催化、气体传感器、空......
本文采用第一性原理方法对清洁CuΣ5晶界与有B掺杂到间隙位的CuΣ5晶界进行了拉伸和压缩的模拟研究.结果分析表明,CuΣ5晶界结合因......
