MgxZn1-xO薄膜相关论文
本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连......
采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影......
本文采用Mg&Zn镶嵌靶作为溅射靶材以及直流反应磁控溅射法制备了MgxZn1-Xo薄膜和MgxZn1-Xo TFTS。主要工作内容和成果如下: (1)......
采用LB技术在石英衬底上制备出ZnO薄膜以及MgxZn1-xO薄膜,研究了ZnO及MgxZn1-xO薄膜的成膜条件和拉膜条件,并对制备的ZnO及MgxZn1-......
本论文采用sol—gel法制备了MgxZn1-xO薄膜，研究了薄膜的微观结构、光学性能和电学性能，以此为基础，开展了p—NiO/n—MgxZn1-xO异质结......
采用溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、......
期刊
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0·16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn......
期刊
用射频磁控溅射法在80℃的衬底温度下制备出MgxZn1-xO(0≤x≤0.30)薄膜.x射线衍射(XRD)结果表明,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结......
利用溶胶-凝胶法在（100）Si片和玻璃衬底上制备出Mg^2＋掺杂的ZnO（MgxZn1-xO）薄膜,研究了Mg^2＋掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响。XRD图......
用溶胶-凝胶法制备了一系列的MgxZn1-xO（0≤x≤0.3）薄膜,并用X射线衍射（XRD）和光致发光（PL）研究了不同的退火温度和Mg的掺杂含量对MgxZn1......
利用电子束蒸发结合热处理方法在150℃下，石英衬底上生长了纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜。用X射线衍射（XRD），扫描电镜（SEM），吸收光谱和室温......
用溶胶-凝胶旋涂的方法在Si（100）衬底上成功制备了MgxZn1-xO薄膜。通过对样品的X射线衍射花样进行分析,发现制得的样品都有明显的C轴......
采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影......
利用溶胶-凝胶旋涂工艺在普通玻璃基底上生长本征ZnO薄膜和MgxZn（1-x）O复合薄膜.采用X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UV-vis）、光......
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了MgxZn1-xO（x=0～0．2）薄膜。采用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计和荧光光谱仪研究了Mg掺杂......
利用电子束蒸发反应沉积技术，在蓝宝石和硅化玻璃衬底上生长得到MgxZn1-xO薄膜。立方相MgxZn1-xO（0．55≤x≤1．00）薄膜的折射率通过透射......
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结......
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃片衬底上制备了Mg^2＋掺杂的ZnO（MgxZn1-xO）薄膜，研究了Mg^2＋掺杂对ZnO薄膜结构和紫外透过率的影响；在氧化物薄......
利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形......
采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上生长出不同组分的宽禁带MgxZn1-xO薄膜（x=0、0．08、0．16、0．25）。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微......
MgxZn1-xO薄膜是一种新型宽禁带半导体薄膜,在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点,近年来逐渐成为半导体光电功能......
通过超声喷雾热解工艺在p型〈100〉Si衬底上制备了不同Mg掺杂浓度的纳米MgxZn1-xO薄膜。通过扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、X......
ZnO带隙的自由调控即能带工程对于设计和制备基于ZnO的异质结、超晶格和量子阱结构并扩展它在光电器件领域的应用至关重要,近年来......
MgxZn1-xO三元化合物是一种Ⅱ-Ⅵ族ZnO基半导体材料,室温下ZnO的禁带宽度约为3.3eV,MgO的禁带宽度约为7.8eV,MgxZn1-xO薄膜的禁带......
近年来研究发现ZnO和MgO混合生成的MgxZn1-xO三元化合物根据所含的MgO含量的不同,带隙可以在3.3-7.7eV之间连续变化,使其在光电探......
学位
Zn元素被广泛运用于工业发展中。本文围绕Zn及其氧化物ZnO展开研究。近年来，异质金属基体上欠电位沉积超薄金属层的实验与理论研究......
学位
采用溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和荧光光谱仪等测试分析薄膜的微结构、......
期刊
ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽带隙化合物半导体材料,因其优越的光电性质而受到广泛关注。更为重要的是,通过一定工艺在ZnO中掺入Mg,可调节MgZnO......
