MgB2超导薄膜相关论文
目前,用于射频超导加速器的纯铌超导腔的制备技术趋于成熟,MgB2因其具有较高的超导转变温度和临界磁场等优势,成为理想的超导腔候......
本文介绍了一种薄膜基底与镁源蒸发放置在不同温区的混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB2超导薄膜的技术.以B2H6为硼源,在(0001)取......
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧......
本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapordeposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在......
2001年初,日本科学家Akimitsu等人发现MgB具有高达39K的超导电性,在基础研究和实际应用两个方面引起了对MgB的广泛关注.MgB优良的......
本论文主要是对用混合物理化学气相沉积法制备的MgB2超导薄膜的性质研究。自从2001年日本科学家偶然发现MgB2具有39K的超导转变温......
本论文涉及MgB2超导薄膜和过渡金属氧化物薄膜两个领域的研究，其中包含了在多个人们普遍关注的前沿领域取得的一系列探索与创新成果......
符合BCS理论的超导转变温度为39K的MgB2超导体，由于其具有较长的相干长度(ξ～5nm，)、晶界间不存在弱连接、有高的转变温度、高的临界......
本文从第一性原理出发,应用平面波赝势的方法分别计算了以B和Mg为终结面的3-19MLMgB_2超导薄膜的电子结构,从而研究了它们的原子间......
报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB2超导薄膜的微波表面电阻Rs、0 K时的穿透深度λ(0)和超导能隙△(0).λ(0)和△(0)的值是通......
报道了用两步法制备MgB2超导薄膜.首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理,通过扩散反应生成MgB......
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术：一种是先利用双氧水......
我们用混合物理化学气相沉积法（hybrid physical—chemical vapor deposkion简称为HPCVD）以氩气为背景气体，在不锈钢衬底上于不同条件......
本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上，以B2H6作为硼源，化学气相沉积先驱硼薄膜，采用Mg扩散方法，在不同退火......
在多晶Al2O3衬底上，以B2H6作为硼源，化学气相沉积先驱B薄膜，采用Mg扩散方法，在不同退火时间条件下制备了MgB2超导薄膜。通过电阻-温度......
利用化学气相沉积法（CVD）在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜，研究了前驱硼膜沉积时间对MgB：薄膜超导特性的影响，通过XRD、SEM......
二硼化镁（MgB2）是超导转变温度（39K）最高的二元合金化合物,较宽的能隙、无弱连接性、极短的电-声作用时间使其在制备超导器件方面的应......
介绍了采用混合物理化学气相法（HPCVD）工艺以乙硼烷（B2H6）为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在（0001）取向的Al2O3单晶基底上制备了......
采用MgB2超导薄膜材料设计了一个L频段的滤波器。该滤波器采用半开环结构微带谐振腔,产生准椭圆函数响应。滤波器带宽为61 MHz,中......
