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利用化学气相沉积法（CVD）在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜，研究了前驱硼膜沉积时间对MgB：薄膜超导特性的影响，通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征。延长前驱硼膜的沉积时间，得到的硼膜结晶度越高，结构更致密。经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接，提升t值。该实验沉积10min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜￡值为34K，且超导转变宽度比较窄。延长前驱硼膜沉积时间到15min后，薄膜的Tc值降低，这是由于前驱硼膜较多，Mg和硼反应不充分所导致的