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本文讲述一种采用电测试来评估MOS LSI电路工艺的方法。因为器件的主要性能参数如阈值电压、放大系数等可以由工艺参数(如栅长、栅......
三菱电机公司研制出了新的硅成膜技术——高压氧化法。有关这种新技术在MOSLSI中的应用结果,在八月份举行的电子通信学会电子元件......
国外已有一些厂家试图用钼钨等的硅化物栅来取代 MOS LSI 的硅栅。该栅电极的电阻率比硅栅低一个数量级以上,可以使用同硅栅 MOS L......
本文对MOS自给衬偏电路的工作原理和特性进行了定量的分析和研究,得出了一个有助于设计的等效电路,用此算出的输出特性与实验结果......
