CZ-SI相关论文
Oxygen precipitates generated in fast neutron irradiated Czochralski silicon(CZ-Si)after onestep annealing at 1100℃ for......
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,......
报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm~(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986......
Annealing effect of the oxygen precipitation and the induced defects have been investigated on the fast neutron irradiat......
This paper investigates the infrared absorption spectra of oxygen-related complexes in silicon crystals irradiated with ......
ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＩｍｐｕｒｉｔｙＧｅｒｍａｎｉｕｍｏｎＰｒｏｐｅｒｔｙｏｆＣＺ－ＳｉＺｈａｎｇＷｅｉｌｉａｎ；ＬｉｕＣａｉｃｈｉ；ＷａｎｇＺｈｉｊｕｎａｎｄＪｉＺｈｉｊｉａｎｇ（张维连）（刘彩池）（王志军）（冀志江）（ＭａｔｅｒｉａｌＲｅｓｅａ.........
ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＩｍｐｕｒｉｔｙＧｅｒｍａｎｉｕｍｏｎＰｒｏｐｅｒｔｙｏｆＣＺ－ＳｉＺｈａｎｇＷｅｉｌｉａｎ；ＬｉｕＣａｉｃｈｉ；ＷａｎｇＺｈｉｊｕｎａｎｄＪｉＺｈｉｊｉａｎｇ（张维连）（刘彩池）（王志军）（冀志江）（ＭａｔｅｒｉａｌＲｅｓｅａ.........
详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型......
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPDs）是否属于空洞型缺陷，目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验......
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPDs）是否属于空洞型缺陷，目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验......
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流......
报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,......
随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,......
利用光致发光谱研究了 NTD CZ-Si 在650～950℃退火过程中辐照缺陷随退火温度的变化,发现在700～800℃范围内 PL 光谱强度最大。与硅中......
本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台......
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火......
原始电阻率不同的NTD CZ-Si单晶,消除辐照损伤、恢复电参数所需的最低退火温度不同。原始电阻率越低,恢复电学性能所需的温度也越......
目前，能源和环保是世界两大热点。随着经济的发展、社会的进步，人们对能源提出越来越高的要求，寻找、开发新能源成为当前人类面临的迫......
本文研究了大直径直拉硅单晶中的原生微缺陷—流动图形缺陷（flow pattern defects，FPDs）。分析了FPDs的微观形貌，及其在Secco腐蚀液中......
