超微粒干版相关论文
2004年第46号经国务院批准,《中华人民共和国进出口税则》的税目、税率自2005年1月1日起进行调整(调整后的2005年版《中华人民共......
由上海第二光学仪器厂试制的 FB-1型精密接触式翻版机已通过鉴定。用于半导体集成电路光刻掩模版的复制。该机达到了设计要求,性......
本文针对用常规制版工艺制作细线条为1μm光刻版的主要难点,通过定性的理论分析,确定出实验方案。经过反复实验,在現有设备条件下,......
本文提出用矩阵法对置于正交偏振器之间的不完全二向色性片求出最佳方位角和消光角,以及用消光角确定二向色性吸收系数之差的公式......
阐述了由红、蓝二滤色片分色记录的景物像，分别在红、白两种光照明的条件下重合时，人眼色感问题的进一步实验研究，同时简单讨论了其成......
照相制版是半导体平面工艺的重要组成部分,光刻掩膜的质量直接影响半导体器件的性能和成品率。随着器件的发展,对光刻掩膜的精度......
本文叙述了制版相机改造的理论根据及其结构特点。经改造的相机，能大大提高精度，扩大应用范围，做到一机多用。
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题 目工作报告期 页铝一Ⅳ型硅肖特基接触界面JD型层的研究……………………………………一～二 1超突变2.]一Ⅳ结空间电荷区………......
近几年来出现了从光刻掩模的制造到光致抗蚀剂的去除整个工艺程序中用电子束制版,离子技术去胶等一系列新技术,有可能取代用乳胶......
高分辨率、快速、高清洁度的超微粒干版已成了大规模集成电路会战中关键的基础材料之一。在北京市大规模集成电路会战办公室的领......
本文叙述一种新型照相法——“PD”照相法,在我们研制工作中,采用的光敏材料是4-二甲氨基-3.5-二氯苯重氮特丁基硫化物,载体为聚乙......
随着半导体器件向大规模、超高频、大功率的方向发展。对半导体制版相应提出了细线条的更高要求。为适应细线条的需要,必须提高照......
随着半导体器件和集成电路向中、大规模方向的发展,制版工艺对超微粒干版提出越来越高的要求。遵照毛主席“中国人民有志气,有能......
随着半导体中、大规模集成电路的飞速发展,光刻掩模的制备手段和使用材料都发生了巨大变革,乳胶掩模版几乎已全为金属掩模、表面......
随着我国电子工业的飞速发展,特别是近几年来,我国半导体器件和电路往微波、大功率、低噪声和超高速、大规模集成方向的巨大飞跃,......
前言制版工艺在半导体器件、薄膜混合集成电路的研制和生产中,所处的位置相当重要。制版质量的好坏,直接影响着产品的性能和成品......
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